模电基础

Posted 2020-06-09

本片半导体

共价键

空穴——自由电子

复合：自由电子进入空穴

一定温度下自由电子和空穴和浓度是一样的，温度增高浓度增大

载流子：运载电荷的粒子

P型半导体最多可产生4个空穴，即使加入高价杂质，比如5价杂质，因此在没有空穴的情况下，还会多出一个电子，因而自由电子为多数载流子

N型多数载流子为空穴

当温度变化时，少数载流子对导电性的影响更为显著，因为温度变化自由电子与空穴是成对增加或者减少的，因而载流子的比例就会显著变化。

N型半导体多数载流子是自由电子，P型半导体（多为硼等3价杂质）多数载流子为空穴。

扩散运动：所有物质都有的运动，因为浓度差，P区空穴向N区扩散，N区自由电子向P区扩散。

漂移运动：电位差（电压)。

正向偏置：外场削弱漂移运动，而有利于扩散运动。

反向偏置：外电场削弱扩散运动，增加漂移运动，而参与漂移运动的是少数载流子，因而电流很小。但温度升高，参与漂移的载流子会迅速升高。

因为有电容效应，因而有频率的限制。电容大频率就小。

扩散电容

势垒电容

点接触型二极管：工作频率高、等效电容小、电流小

面接触型：工作频率低、电流大

平面型：扩散工艺。

开启电压：即使单向导电性，也不是P极一接正电压就会有电流，因为一是接电极时会带有些电阻，还要克服内电场。

反向饱和电流：参与漂移运动的少数载流子会逐步增大，直至全部都参与了漂移运动。

击穿电压：

正向接时要加个电阻

每升高10度，少数载流子增一倍。

理想二极管：正向导通电压为零，反向饱和电流为零。

 

 

三极管

基极：复合运动形成

发射极：扩散运动形成

集电集：漂移运动形成

非平衡载流子