(数字IC)低功耗设计入门——门级电路低功耗设计优化

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了(数字IC)低功耗设计入门——门级电路低功耗设计优化相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

三、门级电路低功耗设计优化

  (1)门级电路的功耗优化综述

  门级电路的功耗优化(Gate Level Power Optimization,简称GLPO)是从已经映射的门级网表开始,对设计进行功耗的优化以满足功耗的约束,同时设计保持其性能,即满足设计规则和时序的要求。功耗优化前的设计是已经映射到工艺库的电路,如下图所示:

     

  门级电路的功耗优化包括了设计总功耗,动态功耗以及漏电功耗的优化。对设计做优化时,优化的优先次序如下:

     

由此我们可以找到, 优化时,所产生的电路首先要满足设计规则的要求,然后满足延迟(时序)约束的要求,在满足时序性能要求的基础上,进行总功耗的优化,再进行动态功耗的优化和漏电功耗的优化,最后对面积进行优化。

  优化时先满足更高级优先权的约束。进行低级优先权约束的优化不能以牺牲更高优先权的约束为代价。功耗的优化不能降低设计的时序。为了有效地进行功耗优化,需要设计中有正的时间冗余(timing slacks)。功耗的减少以时序路径的正时间冗余作为交换,即功耗优化时会减少时序路径上的正的时间冗余。因此,设计中正的时间冗余越多,就越有潜力降低功耗。

  通过上面的描述,对门级功耗优化有了一下了解之后,这里先介绍一下静态功耗优化的方法——多阈值电压设计,然后介绍基于EDA工具的动态功耗的优化,接着介绍总体功耗的优化;在最后介绍一种常用的门级低功耗的方法——电源门控。电源门控我放在明天发表,今天的内容主要就是围绕静态、动态、总功耗来写。

 

  (2)多阈值电压设计

①多阈值电压设计原理

  由于半导体工艺越来越先进,半导体器件的几何尺寸越来越小,器件中的晶体管(门)数越来越多,器件的供电电压越来越低,单元门的阈值电压越来越低。由于单位面积中的单元门越来越多,功耗密度高,器件的功耗大。因此,设计时,我们要对功耗进行优化和管理。在90nm或以下的工艺,静态功耗要占整个设计功耗的20%以上。因此,使用超深亚微米工艺时,除了要降低动态功耗,还要降低静态功耗。在超深亚微米工艺,单元门的阈值电压漏电功耗(静态功耗)有如下图所示的关系:

       

由图可见,阈值电压Vt以指数关系影响着漏电功耗。阈值电压Vt与漏电功耗和单元门延迟有如下关系:

        阈值电压Vt越的单元,它的漏电功耗越,但门延迟越长,也就是速度

        阈值电压Vt越的单元,它的漏电功耗越,但门延迟越短,也就是速度

我们可以利用多阈值电压工艺库的这种特点,进行漏电功耗的优化,设计静态功耗低性能高的电路。

  一般的设计中,一个时序路径组((timing path group)有多条时序路径,延迟最大的路径称为关键路径。根据多阈值电压单元的特点,为了满足时序的要求,关键路径中使用低阈值电压的单元(low Vt cells),以减少单元门的延迟,改善路径的时序。而为了减少静态功耗,在非关键路径中使用高阈值电压的单元(high Vt cells),以降低静态功耗。因此,使用多阈值电压的工艺库,我们可以设计出低静态功耗和高性能的设计。上面的描述如下图所示:

           

 

 

②门级网表/RTL代码的多阈值电压设计

  多阈值电压设计可以在门级网表或者RTL代码的时候就进行,也可以在后面布线后进行。门级网表/RTL代码的多阈值电压设计(或者说是静态功耗优化)流程如下所示:

       

一个对应的示例脚本如下所示:

    set   target_library   "hvt.db   svt.db   lvt.db"

    ······

    read_verilog   mydesign.v

    current_design   top

    source   myconstraint.tcl

    ······

    set_max_leakage    -power   0mw

    compile

    ······

与以前的脚本不同,设置target_library时,我们用了多个库。上列中,目标库设置为 "hvt.db   svt.db   lvt.db"脚本中使用set_max_leakage_power命令为电路设置静态功耗的约束。在运行compile命令时,Power Compiler将根据时序和静态功耗的约束,在目标库选择合适的单元,在满足时序约束的前提下,尽量使用Svt或Hvt单元,使优化出的设计性能高,静态功耗低。

  PS:如果在Physical Compiler工具(现在我们使用DC的拓扑模式)里做漏电功耗优化时,我们可以保留一点正的时间冗余(positive slack),使电路不会在极限的时序下工作.这些时间冗余量也可被后面其他的优化算法所使用。设置时间冗余的命令如下:

    set   physopt_power_critical_range   时间量

 

③布线后的多阈值电压设计

  上面是门级网表/RTL代码的多阈值电压设计,下面简单介绍布线后的多阈值电压设计,流程如下图所示:

         

相应的一个示例脚本如下所示:

    set   target_library   "hvt.db   svt.db   lvt.db"

    read_verilog   routed_design.v

    current_design   top

    source    top.sdc

    ······

    set_max_leakage    -power   0mw

    physopt   -preserve_footprint    -only_power_recovery  -post_route  -incremental

physopt命令中使用了“-poat_route”的选项,特别用于进行布线后的漏电功耗的优化。优化时,单元的外形名称(footprint)保留下来,原有的布线保持不变。

 

 

④多阈值电压设计与多阈值库的报告

  进行漏电功耗的优化时,Power Compile将报告如下的漏电优化的信息:

       

LEAKAGE POWER的列(Column)展出了内部优化的漏电成本值。它和报告出来的漏电功耗可能不一样。我们用“report_power”命令得到功耗的准确的报告。

 ======================================================================

  我们现在来看一下多阈值库。多阈值库定义了两个属性,一个为库属性default_threshold_voltage_group,另一个为单独库单元的属性threshold_voltage_group。然后报告多阈值电压组的命令是:report_threshold_voltage_group.我们可以使用多阈值库的这两个属性,报告出设计中使用多域值库单元的比例,一个示例的脚本如下所示:

    set_attr   -type string  lvt.db:slow  default_threshold_voltage_group  LVt

    set_attr   -type string  svt.db:slow  default_threshold_voltage_group  SVt

    set_attr   -type string  hvt.db:slow  default_threshold_voltage-group  HVt

    report_threshold_voltage_group

报告得到的结果如下所示:

     

 

 

  (3)基于EDA工具的动态功耗优化

  前面介绍了静态功耗的优化,下面介绍动态功耗的优化。动态功耗优化通常在做完时序优化后进行。动态功耗优化时,需要提供电路的开关行为,工具根据每个节点的翻转率,来优化整个电路的动态功耗。用compile/physopt命令可以同时对时序和功耗做优化。设置动态功耗的命令为:

            set_max_dynamic_power  xxmw.(一般设置为0)

  动态功耗优化的流程如下所示:

           

一个对应的示例脚本如下所示:

    read_verilog   top.v

    source   constraints.tcl

    set   target_library   "tech.db"

    compile

    read_saif

    set_ max_dynamic_power   0 mw

    compile  -inc

动态功耗的优化的实现如上面所示。优化过程用了很多技术比如插入缓冲器、相位分配之类的。由于这些都是power compiler在背后自动实现(或者说是进行低功耗优化时工具使用的原理),不需要我们进行设置,因此这里不进行介绍。

 

  (4)总体功耗优化

  前面分别介绍了静态功耗和动态功耗的优化方法。我们可以把它们结合在一起,进行整个设计总功耗的优化。总功耗是动态功耗和静态功耗的和,总功耗的优先级比动态功耗和静态功耗高。总功耗优化时,工具尽量减少动态功耗和静态功耗的和。优化时如果减少了漏电功耗增加了动态功耗,但它们的和减少了,优化是有效的。反之亦然。我们可以通过设置开关,使动态功耗优化和静态功耗优化用不同的努力级别(effort levels)和权重(weights)进行优化

  总功耗的优化流程如下图所示:

           

一个对应的示例脚本如下所示:

    read_verilog    top.v

    source     constraints.tcl

    set   target_library   "hvt.db svt.db lvt.db"

    ······

    compile

    read_saif

    set_max_total_power  0  mw  -leakage_weight   30

    compile   -inc

    ······

脚本中,target_library设置为多阈值电压的库,用于做静态功耗的优化。读入含有开关行为的saif文件,用于约束动态功耗的优化。在设置总功耗的约束时,我们可以在set_max_total_power命令中使用静态或/和动态功耗权重(weight)的选项,使工具在优化时,偏重于静态或动态功耗。假设P、Pd和Pl分别为总功耗、动态功耗和静态功耗,Wd和Wl分别为动态功耗和静态功耗的权重,则

        总功耗P = (Wd*Pd+Wl*P1)/Wd

  我们可以在DC或PC中设定只对功耗做优化。这时候,工具仅优化设计的功耗,而不会对更高优先级的约束做任何的优化和修正设计规则DRC违例。但是这种优化也不会使设计的更高优先级约束的性能变差和引起DRC违例。这种优化的优点在于运行时间较短,可用于优化设计的动态功耗、静态功耗和总功耗。在DC和PC中,只能以增量编辑的形式工作。

  PC中只对功耗做优化的命令如下:

    set_max_total   -power  0  mw

    physopt    -only_power_recovery

  DC中只对功耗做优化的命令如下(由于现在PC在DC中,因此下面的脚本更常用):

    set   compile_power_opto_only   true

    set_max_leakage_power  0  mw

    compile  -inc

 

今天就先介绍到这里,明天将介绍门控电源的内容。

以上是关于(数字IC)低功耗设计入门——门级电路低功耗设计优化的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章

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