光线折射技术得到解决,中国光刻机技术再进一步,ASML后悔莫及
Posted 柏颖漫谈
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近日有国内企业公布了一项关于光线折射等的EUV光刻机专利,这对于国内光刻机产业一直努力的EUV光刻机技术无疑是重大的突破,将有助于中国的芯片制造技术再前进一大步。
业界都清楚光刻机是一项技术密集度极高的产品,而EUV光刻机更是科技的皇冠,ASML的EUV光刻机就需要10万多个零部件,需要全球5000多家供应商供应,这些供应商分别在美国、德国、日本等地,可以说没有任何一家企业可以独立完成EUV光刻机的制造。
目前EUV光刻机仅有ASML一家企业可以生产,ASML也依靠独有的EUV光刻机获取了丰厚的利润,而ASML深受美国的影响,在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机,这也成为中国芯片制造的最大障碍。
近几年来中国极力发展芯片制造产业链,经过近十年来的努力,中国在芯片制造的八大环节都已达到14nm,刻蚀机更已达到5nm,而芯片封测技术已达到3nm,仅有光刻机还停留在28nm以上。
光刻机也成为中国芯片制造最后需要打通的环节,而随着更多企业的加入,特别是近期一家重量级企业成功研发了光线折射技术,对于中国的光刻机产业来说无疑是巨大的突破。
其实光线折射技术就是光刻机的核心技术之一,从90nm工艺以来,DUV光刻机所采用的光源都是193nm的光源,而EUV光源则是13.5nm,通过在水等介质的多次折射得到相应波长的光线,从而实现了以193nm光源生产65nm至7nm工艺、13.5nm光线实现7nm至2nm的工艺,而这家企业公布的光线折射技术恰恰解决了光刻机的关键技术。
其实当年ASML能从一家挣扎在生存线上的光刻机企业迅速发展成为光刻机行业的超级巨头,也恰恰来自于它解决了光线折射技术,或者说是它与台积电合作研发了光线折射技术。当时日本的光刻机企业尼康、佳能等都是干式光刻机,即是利用空气等介质折射光线,然而达到90nm之后干式光刻机也就到了极限。
台积电的林本坚认识到了干式光刻机的弊端,而研发了浸润式光刻机技术,即是利用水等介质对光线进行折射从而得到波长更短的光线,然而当时作为干式光刻机巨头的佳能、尼康等不愿放弃它们原有的蛋糕而不愿采用,ASML却孤注一掷,由此ASML和台积电达成合作,也就成就了ASML称霸光刻机市场十几年的成就。
由此可见,光线折射技术对于光刻机行业的重要性,而如今国内企业恰恰解决了这一个核心技术难题,并且这样的技术不仅可以用于DUV光刻机,还可以用于EUV光刻机,也就意味着国产光刻机将由此迈出重要的一步。
国产的光刻机已形成了一条完整的产业链条,成为全球唯一拥有光刻机全产业链的经济体,双工作台、光学系统、物镜系统、光源系统方面都已有相关企业研发成功,如今国内企业在光线折射技术方面的突破,无疑将补上最后的短板,国产光刻机的量产应该很快了。
国产光刻机的突破,对于光刻机巨头ASML将是重大的打击,ASML因为中所周知的原因无法对中国出货,它本来还计划大举扩张光刻机的产能,而中国一旦量产先进光刻机,那么ASML就将面临严重的产能过剩,毕竟如今全球芯片行业都在衰退,对光刻机的需求在减少,ASML本来还寄望中国市场能帮助它消化光刻机库存,如今恐怕将成空。
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