MOS管中VGS的作用

Posted 2023-03-30

在NMOS增强型管子中,VGS大到一定程度,就会把P衬底中的电子吸引上来,形成导电沟道,从而使管子导通(如下图).可是既然是吸引P衬底中的电子,应该是VGB才对啊,为什么是VGS?连到S极的作用何在?

参考技术A 亲，对于NMOS，bulk衬底端B跟S通常都连接到一起接地。这是为了防止BS之间的二极管正向导通。另外你说的也没错，阈值电压VT的确受SB间的电压影响，V_SB越高，VT越大。模拟电路设计中要注意的问题之一就是源极S电压对阈值的影响。追问

那有VGB就够了,还要VGS干嘛

追答

电子通道是建立在D跟S之间的。Ids和Vgs之间存在二次平方关系。B端电压至少对Vt有影响而已。如果电流通过衬底流到B端，那就是漏电了，这个是要尽量避免的。

本回答被提问者采纳 参考技术B pmos
管的vgs
同样也有正和负。
mos
管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds
的耐压承受力。
比如说+12v
是开启mos,
-5v
是关闭mos。
是不是你对地的概念有困惑？ 参考技术C mos管的作用如下：
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。