MOS管如何使用？

Posted 2023-05-16

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篇首语：本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了MOS管如何使用？相关的知识，希望对你有一定的参考价值。

1，我是这样理解的：mos管的开启电压，假设是5V，源极电压有12v，这样是不是不需要加栅极电压就可以导通了？而把栅极电压提高到8V，又关闭了？
2，Vdss，Id是不是SD间的最大耐受电压和电流呢？
3，Vgs是mos的开启电压吗？好像一般都是20V。我想应用在单片机，用单片机控制栅极驱动12V80ma的LED，那么这个20V是不是太大不大合适，有没有合适的型号呢？或者说选用大点的话发热量小些？
4，我看到Vgs前面有正负号，这个是开启电压是正负电压都可以开启的意思还是，浮动的含义？
5，关于导通电阻，就是SD之间的电阻是吗？
6，现有一12V80ma的LED，需要通过单片机TTL5V电平通过MOS管驱动点亮，关于MOS大致选择什么参数合适？
7，根据上面，另外电路中的电阻该如何考虑？比如限流电阻，电源的选用呢？
下图是借鉴的一应用实例：

MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。

这个说的对。

Vgs是mos栅极和源极之间所能加的最大电压，超过就击穿了，所以一般是±20V，使用时不能超过。

和上一问一样，只有栅极和源极接正向电压才能导通，而且不能超过20V。接负电压和接0电压一样，都会截止。

对。

选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。

由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

追问

对于问题1，如果是S极接地，用N管呢？

追答

问题1你问的是P管啊，我看后面图里是N管就以为是N管了，我在1里说的就是N管的情况，只要栅极电压比源极电压高，达到导通电压就会导通。所以S极接地的话栅极加5V以上电压就可以导通。
P管正好相反，只要栅极电压低于源极电压，达到导通电压就会导通。
但栅极不可以不接，悬空是不行的，MOS阻抗高，输出会不一定。
所以在1里你的描述如果改成”对于P型管，mos管的开启电压，假设是5V，源极电压有12v，这样栅极电压在7V以下就可以导通了。而把栅极电压提高到8V，又关闭了“。这样就对了。

追问

嗯，谢谢。另外有个问题，usb输出的就是5V，那为什么还需要用MAX232转换成5V的TTL电平呢？

追答

USB只是供电电压是5V，它的信号是差分传输的，有D+和D-两个信号线，而且由于比特率大，其信号电平也是比较低的，通常±400mv之间，1和0的电平规范都是和TTL电平不兼容的。

你是买的成品USB转232的线吗？现在的成品线和转换芯片一般都是USB转232的，就相当于把USB转成了一个PC串口（下面那种连接器），而232的电平也不是5V的，需要再用MAX232转成TTL电平。

追问

这么一说就明白了，谢谢

参考技术A mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样不需要加栅极电压就可以导通了。
MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。
通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

一、mos管理简介

1. 简介

MOS管，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常用的半导体器件。它是由一条金属电极、一个绝缘层和一个半导体晶体组成的。

MOS管的工作原理是利用半导体中N型或P型区域的导电性质来控制电流的流动。在MOS管的绝缘层上面，放置了一块金属电极，形成了一个电场，当施加一个外加电压到金属电极上时，电场会影响绝缘层下面的半导体区域，改变该区域的导电性质，从而控制电流的流动。

2. mos管理的特点

MOS管有以下几个特点：

高输入电阻：MOS管的输入电阻非常高，可以达到很大的数值，这使得MOS管可以被用作高阻抗放大器。
低噪声：由于MOS管的输入电阻很高，所以它的噪声也很低，这使得MOS管可以被用作低噪声放大器。
低功耗：由于MOS管只需要非常小的电流来控制电流的流动，因此MOS管的功耗非常低。
快速响应：MOS管的响应速度非常快，可以达到几百兆赫的频率。

MOS管广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、电视机、音响等等。

3. MOS管的工作状态

（1）放大功能

当MOSFET的门极电压（VGS）超过门极-源极电压（VGS(th)）时，MOSFET进入放大区。在放大区，MOSFET的漏极电流（ID）随着VDS的增加而增加，但是增长速度比饱和区慢。这意味着MOSFET在放大区时可以作为放大器使用。

（2）截止区

当MOSFET的VGS低于门阈电压（VGS(th)）时，MOSFET进入截止区。在截止区，MOSFET的漏极电流非常小，几乎可以忽略不计，因此可以将其视为完全关闭的状态。

（3）饱和区

当MOSFET的VGS超过VGS(th)时，并且VDS也足够大时，MOSFET进入饱和区。在饱和区，MOSFET的漏极电流达到一个最大值，并且漏极电流不再随着VDS的增加而增加。因此，MOSFET在饱和区时可以作为一个开关使用。

3. Mos管的分类

根据MOSFET的工作模式、结构特点、功率范围等不同，可以将MOSFET分为多种不同类型。以下是一些常见的MOSFET分类：

（1）按照工作模式分类：

恒压型MOSFET：在恒定的VGS下，通过调节VDS可以控制MOSFET的漏极电流ID。常用于放大和调节电路等。
恒流型MOSFET：在恒定的VDS下，通过调节VGS可以控制MOSFET的漏极电流ID。常用于开关电路等。

（2）按照结构特点分类：

通道型MOSFET：N型或P型的掺杂区间为一个连续的导电通道，可通过在门电极上加正向或负向电压来控制电荷的通道大小，从而控制电流。常用于放大和开关电路等。
压控型MOSFET：N型或P型的掺杂区间被分成多个单元，形成一个PN结，通过控制结区的电压，改变电荷区的深度和宽度，从而控制电流。常用于高压和功率电路等。

（3）按照功率范围分类：

小功率MOSFET：主要应用于逻辑电路、放大器等小功率应用领域。
中功率MOSFET：主要应用于直流-直流转换器、电源管理、汽车电子等中功率应用领域。
大功率MOSFET：主要应用于高压直流输电、医疗设备、工控系统等大功率应用领域。
需要注意的是，MOSFET的分类不是绝对的，不同类型的MOSFET在不同的应用场景下也会有重叠和交叉。因此，在选择和应用MOSFET时，需要结合具体的设计需求和应用条件，综合考虑各种因素，以选择最合适的器件。