ROM,RAM,DRAM,SRAM和FLASH的区别

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参考技术A Flash存储器又称为闪存,是一种非易失性的ROM存储器,在EEPROM的基础上发展而来,但不同于EEPROM只能全盘擦写,闪存可以对某个特定的区块进行擦写,这源于它和内存一样拥有独立地址线。闪存的读写速度快,但远不及RAM存储器;但它断电后不会像内存一样丢失数据,因此适合做外存储设备。用途:U盘、固态硬盘、Bios芯片等。

DDR是一种技术,中文为双倍速率,并不属于一种存储器。DDR通常指DDR SDRAM存储器,全称为Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,双倍速率同步动态随机存储器。顾名思义,它有三个重要特性:Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic(动态),表明存储元为电容,通过电容的电荷性判断数据0和1。而由于电容有漏电流,必须随时对电容进行充电,以防数据丢失,这个过程就叫动态刷新;其次是Synchronous(同步),表明读写过程由时钟信号控制,只能发生在时钟信号的上沿或下沿,是同步进行的,而不可以在随意时刻进行;最后是Double Date Rate(DDR),这是DDR内存最重要的特性,即相比SDRAM内存,DDR内存在时钟的上沿和下沿均可以完成一次数据发射,因此一个周期内可以传输两次数据,所以称为双倍速率。因此等效频率是SDRAM的两倍。用途:内存条和显存颗粒,如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的缩写,中文为随机存储器。这个定义非常广,凡是可以进行随机读写的存储器,都可以称为RAM,和ROM(只读存储器)相对。用途:内存、显存、单片机、高速缓存等等

SRAM是Static Random Access Memory的缩写,静态存储器,和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平,并不需要进行刷新,只要不断电,数据就不会丢失,因此称为静态RAM。相比动态RAM,优点:1.不需要刷新操作,省去刷新电路,布线简单;2.速度远高于DRAM。缺点:1.容量远小于DRAM;2.由于晶体管规模远大于DRAM,成本远高于DRAM。用途:寄存器、高速缓存、早期内存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的缩写,动态存储器。和上面的定义一样,由电容存储数据,需要实时刷新,因此叫动态RAM。和SDRAM的区别在于DRAM可以不需要时钟信号控制发射,但通常我们不严格区分它们,把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也属于一种DRAM。用途:内存、显存

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