virtuoso自学笔记

Posted 2023-05-07

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篇首语：本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了virtuoso自学笔记相关的知识，希望对你有一定的参考价值。

参考技术A

以反相器为例。

Tool → Library manager
选中一个库
File → new → cell view

新建一个库，向库中新建cell，新建cell后会自动弹出原理图绘制界面

先画原理图：

快捷键介绍：
（1）添加元器件：i，左键放置、右键旋转、Esc推出载入
（2）查看器件参数值：选中某元件后按q
（3）保存电路原理图：x
（4）撤销上次操作：u
（5）居中显示原理图：f
（6）缩小显示窗口：[
（7）放大显示窗口：]
（8）退出：Esc
（9）移动pin：选中后按键盘的shift+m，单击右键是旋转

注意：pin命名最好大写（因为有些工艺制程下进行LVS/DRC检测的时候，只认大写）

原理图画完之后，要建立symbol用于仿真：

随后要基于建立的symbol，画testbench

画testbench时需要对具体工作情景建模，然后选择相应的器件。

从芯片外部引入的电源和地，会存在封装上引线的电感，对于这个电感的模型是需要模拟出来的，在电路仿真中需要把这个电感的模型带入到testbench中，在这里要添加一个理想的电感。

对于常规的QFN\\QFP的封装，1um bonding线（金线）等效的电感值在1nH左右、等效阻抗50mΩ，连在引脚上的电源的引线大概有2um左右，由于地线不是直接bonding到封装的管脚上，而是bounding到芯片背面大片的金属地上，这是个单bond、引线电感会小一些，一般在1mm以内，设为1nH，阻抗50mΩ

（10）引线命名：l（小写的L）
（11）进入下一层：e
（12）返回上一层：ctrl+e
（13）电感：ind，电容：cap，电压脉冲发生器：vpulse

观察输出波形，需要增加元器件电容，作为输出的负载。

仿真：Tools → analog environment，这里进行了直流仿真和瞬态仿真

Print直流工作点的方法：

画图方法：

有两种画图风格可供选择：

inverter仿真；减小P管宽长比带来的影响（蓝色），翻转阈值下降了（可以理解成PMOS需要更低的栅极电压才可以开启）

基于原理图生成版图：

LSW：版图设计时所有层的信息

深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。

本工艺下用到的是1P6M的配置，只用到了M1~M6，1层多晶硅，6层金属互连层，

e.g.：
v1：M1到M2之间的过孔
v2：M2到M3之间的过孔

（14）显示版图的所有层次：shift + f
（15）以框图显示版图：ctrl + f

打散Pcell：

设置格点分辨率：

显示连线关系：
options→display

（16）连线快捷键：p（敲p后点击连接起始端，选择要连的层，再单击结束端，再回车结束）
（17）尺子：k
（18）清除尺子：shift + k
（19）画矩形：r
（20）逐步缩小版图：shift + z
（21）只看某一层：(例如只看M1)LSW窗口选中M1，点击NV，点击版图界面，敲f
（22）整体移动版图某区域，且相应线拉伸：先将selection mode（options→selection）由full改为partial，然后左键框选相应区域，敲s后拖动到相应位置后，左键取消选中
衬底接触环（N阱保护环），guard ring

集成电路模拟版图入门-版图基础学习笔记

我们今日接着版图基础学习笔记（二）的内容来写。

第二部分版图设计基础
8) virtuoso编辑器 --版图显示

3. 版图编辑器
9) virtuoso编辑器–数据流格式版图输出

4. 电路图编辑器
1) virtuoso编辑器–电路图显示

4. 电路图编辑器
2) virtuoso编辑器 --电路器件及属性

电路图编辑器
3) virtuoso编辑器-- 电路添加线名、端口及移动窗口
电路图编辑器
4) virtuoso编辑器-- 建立SYMBOL VIEW
电路图编辑器
5) virtuoso编辑器–建立SYMBOL 操作
电路图编辑器
6) virtuoso编辑器–CDL输出操作
电路图编辑器
7) virtuoso编辑器–CDL输出
了解工艺厂商
SMIC --中芯国际
CSMC – 华润上华
TSMC – 台积电
UMC – 台联电
Winbond – 华邦
先锋
宏力
华虹NEC
比亚迪
新进
厦门集顺
深圳方正
无锡和舰
……
第三部分：版图的准备
必要文件
设计规则
DRC文件
LVS文件
必要文件
PDK
*.tf
display.drf
DRC
LVS
cds.lib
.cdsenv
.cdsinit
设计规则
2.1 版图设计规则——工艺技术要求
2.2 0.35um，0.25um，0.18um，0.13um，不同的工艺
N阱
DIFF
Poly
Metal
Cont
Via
……
2.3 最小宽度
2.4 最小间距
2.4 最小覆盖等等
2. 设计规则
1) PMOS的形成
第三部分：版图的准备

2. 设计规则