go语言应用程序内存错误，高分悬赏

Posted 2023-04-08

go语言开发的程序，运行时报runtime error:invalid memory address or nil pointer defer
但是日志打印出来的错误行数，进行时map赋值操作，而且map已经创建，之前的赋值也ok，为什么在最后的赋值操作出错，而且不是一次都是在这行报的错误，导致程序退出运行。难道是内存不够导致的？可为什么错误总出现在这行呢？求解答，具体见截图

参考技术A 应用程序发生异常 未知的软件异常
1.病毒木马造成的，在当今互联网时代，病毒坐着为了获得更多的牟利，常用病毒绑架应用程序和系统文件，然后某些安全杀毒软件把被病毒木马感染的应用程序和系统文件当病毒杀了导致的。
2.应用程序组件丢失，应用程序完整的运行需要一些系统文件或者某些ll文件支持的，如果应用程序组件不完整也会导致的。
3.系统文件损坏或丢失，盗版系统或Ghost版本系统，很容易出现该问题。
4.操作系统自身的问题，操作系统本身也会有bug 。
5.硬件问题，例如内存条坏了或者存在质量问题，或者内存条的金手指的灰尘特别多。

应用程序发生异常怎么办
1.检查电脑是否存在病毒，请使用百度卫士进行木马查杀。
2.系统文件损坏或丢失，盗版系统或Ghost版本系统，很容易出现该问题。建议：使用完整版或正版系统。
3.安装的软件与系统或其它软件发生冲突，找到发生冲突的软件，卸载它。如果更新下载补丁不是该软件的错误补丁，也会引起软件异常，解决办法：卸载该软件，重新下载重新安装试试。顺便检查开机启动项，把没必要启动的启动项禁止开机启动。
4.如果检查上面的都没问题，可以试试下面的方法。
打开开始菜单→运行→输入cmd→回车，在命令提示符下输入下面命令 for %1 in (%windir%\system32\*.dll) do regsvr32.exe /s %1回车。
完成后，在输入下面
for %i in (%windir%\system32\*.ocx) do regsvr32.exe /s %i 回车。
如果怕输入错误，可以复制这两条指令，然后在命令提示符后击鼠标右键，打“粘贴”，回车，耐心等待，直到屏幕滚动停止为止。（重启电脑）。追问

不是window系统，是linux环境了，而且还是银行的生产环境，系统问题的可能性不大，只能怀疑是内存不够引起的，代码的问题查不出来

高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理

先出50分,只怕没遇到好的答案,
只要被我让我真的懂了,我一定现追加至少50分
我还有一点电子知识的,
希望能讲一讲MOS管的内部工作原理

MOS管
MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
一、MOS管的作用是什么？
目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
二、MOS管的性能参数有哪些？
优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数，所以在MOS管表面一般只标注了产品的型号，我们可以根据该型号上网查找具体的性能参数。
还要说明的是，温度也是MOS管一个非常重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高，MOS管需要承受的电流也随着增强，提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的安全，高品质主板也开始为MOS管加装散热片了。
电感与MOS管是如何合作的？
通过上面的介绍，我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。
主板上的PWM(Plus Width Modulator，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。

这个比较适合大家看

参考资料：http://tech.memail.net/041229/132,35,501992,00.shtml

参考技术A 对于CPU供电电路，由于现在的CPU功耗非常大，从低负荷到满负荷，电流的变化是非常大的。为了保证CPU能够在快速的负荷变化中，不会因为电流供应不上而歇菜，CPU供电电路要求具有非常快速的大电流响应能力。供电电路中的MOSFET，电感线圈和电容都会影响到这一能力。一个最理想的状态是，厂商使用最快速的MOSFET，高磁通量粗导线的电感线圈，以及超低ESR的输入输出电容。但实际上，出于成本的考虑，并不能实现。不同的主板厂商，对选料的着重点不一样。甲厂商可能会选用快速的MOSFET，快速的MOSFET的开关噪声比较小，这样就可以将输入输出的电容等级下降一点。Intel的主板使用高导磁的电感磁芯（降低了线圈的损耗电流），因此它的线圈使用单根比较粗一点的就可以了。但大多数厂商会使用便宜一点的磁芯，使用三线并绕的方式来解决，这样即使损耗大一些，线圈也不会发太多的热。对于输入输出电容，一般的要求是，输入电容要尽可能的大，相对容量的要求，对ESR的要求可以降低一点，因为输入电容主要是耐压，其次要吸收MOSFET的开关脉冲，对输出电容，耐压得要求和容量可以低一点（Intel的主板，这部分的电容往往都是4~6.3V，470~680左右的容量），ESR的要求要高一点，因为要保证足够的电流通过量，但并不是越低越好，低ESR电容会引起开关电路振荡，而消振电路比较复杂，而且会增加很大的成本。因此厂商往往会在实验电路板上得出一个合适的参数值，然后以此作为元件选用参数，这样可以不用消振电路.

MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时，即使加上漏-源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

若在栅-源极间加上正向电压，即vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用VT表示。

由上述分析可知，N沟道增强型MOS管在vGS＜VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压vDS，才有漏极电流产生。而且vGS增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，iD增大。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。 参考技术B mos管就是用低电压控制导通。mos管有三个极，栅极，漏极，源极，可以用一个极控制其他2个极的导通。主要是控制。 参考技术C 类似于三极管，你要一点电子知识也没有，那就说不明白了 参考技术D 简单.