003 CMOS功耗分析

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篇首语：本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了003 CMOS功耗分析相关的知识，希望对你有一定的参考价值。

功耗的主要来源

动态功耗：在大多数应用中占主导

  • 充放电电容
  • 短路电流：开关切换时在供电网络里的短路

静态功耗：随晶体管尺寸减小而上升

  • 漏电流：低功耗设计中备受关注

动态功耗

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降低动态功耗

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直接通路功耗

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I p e a k I_{peak} Ipeak​依赖于

  • 晶体管尺寸
  • 工艺
  • 温度

降低直接通路功耗

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输入输出倾斜

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静态功耗

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温度

  • 漏电流随温度指数增加
  • 温度每上升~9K，漏电流翻一番

亚阈值电压

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降低功耗

  • 降低供应电压（主要目标）：与功耗为二次关系，但可能增加亚阈值电流
  • 减少门数量和门活动：算法、架构、技巧
  • 减小物理电容（使用工具）：布局布线、器件大小
  • 降低温度

以上是关于003 CMOS功耗分析的主要内容，如果未能解决你的问题，请参考以下文章

mos管功耗

之 几种常用电平分析及特性

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