mos管功耗

Posted 2020-12-10 ajiaoa

题目：CMOS反相器的功耗主要包括哪几部分？分别与哪些因素相
关？
P_dynamic 是电路翻转产生的动态功耗
P_short是P管和N管同时导通时产生的短路功耗
P_leakage 是由扩散区和衬底之间的反向偏置漏电流引起的静态功耗
静态功耗：CMOS反相器在静态时，P、N管只有一个导通。由于没有Vdd到GND的直流桐庐，所以
CMOS的静态功耗应该等于零。但实际上，由于扩散区和衬底的PN结上存在反向漏电流，所以会产生静
态功耗。
短路功耗：CMOS电路在“0”和“1”的转换过程中，P、N管会同时导通，产生一个由Vdd到VSS窄脉冲电
流，由此引起功耗
动态功耗：C_L 这个CMOS反相器的输出负载电容，由NMOS和PMOS晶体管的漏扩散电容、连线电容
和扇出门的输入电容组成。