华南理工大学 电力电子技术（王兆安） 期末复习笔记1 第二章第九章
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电力电子技术（王兆安）
笔者是华南理工自动化专业大三在读学生，以下内容是根据我们期末考试考纲总结
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红色部分为非考纲内容
重点の思维导图
以及我自己做的思维导图，重点汇总：
本笔记将按照第二章&第九章、第三章、第四章、第五章、第六章、第七章的顺序进行
提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考
笔记内容
第二章
一、不可控器件 电力二极管
（1）符号
（2）性质和工作原理
（3）重点
【1】1.57的来源
有效值与其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值（额定值）的比值（在不考虑额外裕量的情况下）。
【2】有效值相等原则
实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管
（4）派生
普通二极管、快恢复二极管（反向恢复时间短）、肖特基二极管（正向恢复的电压过冲小，反向恢复时间短，正向压降小）
二、半控型器件 晶闸管（SCR）
（1）符号
（2）性质和工作原理
（3）重点
【1】维持电流和擎住电流
维持电流：晶闸管稳定下来后，电流逐渐减小，维持导通所必需的最小电流
擎住电流：晶闸管刚从断态转入通态，并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流
擎住电流=（2~4）*维持电流
（4）派生
三、晶闸管二极管通用公式
四、全控型器件
1.IGBT
（1）符号
（2）性质和工作原理（达林顿接法）
（3）重点
【1】电路由何复核而来（VDMOSFET+GTR）
【2】擎住效应（动态、静态）
【3】安全工作区
2.GTO（门极可关断晶闸管）
（1）符号
（2）性质和工作原理
3.GTR（电力晶体管）
（1）符号
（2）性质和工作原理（达林顿接法）
（3）重点
【1】工作区间（如上）
4.电力MOSFET
（1）符号
（2）性质和工作原理（动态特性：密勒平台）
五、其他
【1】分类
【2】A阳极，K阴极
【3】！！！动态特性也考，但是简单看看就好
【4】符号汇总
第九章
一、归类
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的信号性质：电流驱动型、电压驱动型。
晶闸管的驱动电路常称为触发电路。
具体形式分为：分立元件、集成。
二、电气隔离手段
光隔离（光耦合器）：有发光二极管和光敏晶体管组成，封装在一个外壳内。
磁隔离（脉冲变压器）：当脉冲较宽时，为避免铁芯饱和，常采用高频调制和解调的方法。
三、典型驱动
GTO直接耦合式：u2为幅值为5v的正弦波，第一个正半周整流后时给C1充电（电流顺时针），第一个负半周电压加上C1上电压，C2右侧为+10v（电流逆时针），第二个正半周电压加上C2上电压，得到VD3右侧+15V。
GTR：开通时V3，V6关断，其余三极管导通，C2受到高电压，将R5短路，基极电流快速增大。随着C2电充满，变成短路，电压变得平稳。关断时V3导通，由于C2两端电压，V6也导通，V6的射极视为零点则0V处变为-8.6V，形成负脉冲。
四、过压过流
五、缓冲电路（9-14）
六、串并联和不均压（动、静）
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