stm32 flash半页写入

Posted 2023-02-19

【中文标题】stm32 flash半页写入

【英文标题】：stm32 flash half page writing

【发布时间】：2016-07-11 18:56:05

【问题描述】：

当我在 stm32 微控制器上执行从闪存到闪存的半页写入时，我是否需要一个 RAM 缓冲区来保存这些读取值然后再写入它们？我的意思是我有 2 个独立的闪存区域，我想将一些数据从第一个区域复制到第二个区域。我需要创建缓冲区并先读取一个半页然后再写入还是可以同时进行？

编辑： 我想执行闪存页面复制 - 将闪存中的一块内存复制到闪存中的不同地址

【问题讨论】：

你能改写你的问题吗？你想做一个flash page copy吗？还是 eeprom 仿真？

【参考方案1】：

如果您需要将另一半数据保留在目标 Flash 页面中，则需要先读取它们，然后再擦除页面并复制源页面的一半。然后将临时存储的数据再次写回。 否则，您可以只擦除页面并写入源页面的一半。 请注意，如果断电，您将丢失临时存储的数据。

【参考方案2】：

答案是我需要先将数据处理到临时缓冲区，因为在写入闪存时，读取操作会停止，因此无法从不同的页面读取。