Q寄存器的两个子部分之和的NEON固有

Posted 2023-02-16

【中文标题】Q寄存器的两个子部分之和的NEON固有

【英文标题】：NEON intrinsic for sum of two subparts of a Q register

【发布时间】：2018-03-27 11:04:35

【问题描述】：

我在 uint16x8_t（一个 Q 寄存器）中有一个值。如果是 asm，我会添加寄存器的两个子部分，例如对于 Q0，它将是 vadd_u16(d0, d1) 我需要的结果。问题是我看不到如何使用 neon 内在函数来获得它，因为没有从 uint16x8_t 到 uint16x4x2_t 的转换能够将低和高部分传递给 vadd_u16。

有很多 vreinterpret_x_y 宏，但没有一个可以从 uint16x8_t 转换为 uint16x4x2_t。我是否遗漏了什么，在 arm-neon 中应该如何进行这样的操作？

【参考方案1】：

您可以使用vget_low and vget_high

然而，问题是编译器会把它弄得一团糟，从而导致严重的性能损失。

android Studio 中的内置 Clang 处理这些特别糟糕，GCC 版本低于 6.x 也是如此

您唯一的选择是将工具链更新为最新的，或者坚持组装。

【讨论】：

这很奇怪，这些被列为 VMOV 指令，而从 Q 寄存器引用 Dn,Dn+1 显然不需要任何操作码。我总是写 neon asm，从来没有做过任何 neon 内在函数，也不知道如何解决这个问题。

@Pavel 我注意到 GCC6.x 或更高版本可以按照您的想法处理它们，但是任何旧版本都会生成带有大量 vmov 的 FUBAR 机器代码。在 Android Studio 上的内置 Clang 上尤其糟糕。

@Pavel 我什至尝试求助于union，但情况会变得更糟。 （内存加载/存储）。这是真正的“内在”。留在你的大会上。

我做内在函数来测试/验证我的代码。似乎最新的 clang/gcc 实际上为我凌乱的内在函数生成了不错的代码。我很好奇 ms arm 或 armcc 会产生什么