使用 avrdude 对闪存的引导加载程序部分进行编程很慢

Posted 2023-02-22

【中文标题】使用 avrdude 对闪存的引导加载程序部分进行编程很慢

【英文标题】：Programming bootloader section of flash with avrdude is slow

【发布时间】：2013-05-18 00:55:28

【问题描述】：

在 ATmega 8 位处理器（特别是 ATmega128）中对闪存的引导加载程序部分进行编程时，AVRdude 相当慢。

我只想写内存的引导加载程序部分，它位于闪存的高位地址中。因此，AVRdude 想要写入整个闪存（128K），而不是仅仅跳转到内存的引导加载程序部分并只写入引导加载程序（比如 3K）。

有什么方法可以加快编程过程（即跳转到内存中的那个偏移量并只写那个部分），还是我被一个缓慢的编程过程卡住了？

编辑：我相信我使用的程序员导致了这个问题。当我使用不同的（更好的）编程器时，avrdude 只是跳转到闪存中的偏移量来写入引导加载程序。

【参考方案1】：

我刚遇到和你一样的问题。显然这是avrdude 的一个功能，我发现绝对没有办法让它工作。

解决方案是使用名为jtagice.exe 的命令行工具。它带有 Avr Studio，但也许你可以在互联网上找到它？对于 8Kb 引导加载程序，验证需要大约 10 秒。

【讨论】：

我相信我使用的程序员导致了这个问题。当我使用不同的（更好的）程序员时，avrdude 只是跳转到闪存中的偏移量来编写引导加载程序。