闪存（NOR/NAND）上的哪些操作会影响闪存编程/擦除（P/E）周期

Posted 2023-04-19

【中文标题】闪存（NOR/NAND）上的哪些操作会影响闪存编程/擦除（P/E）周期

【英文标题】：What operations on flash(NOR/NAND) effect Flash Program/Erase(P/E) cycles

【发布时间】：2016-09-29 00:28:27

【问题描述】：

想要实现一个可以通过电源循环保存值的计数器，所以我应该使用闪存（我可以选择选择 NOR 或 NAND）但是因为我的计数器值会经常增加。我想优化擦除次数（仅考虑擦除，即使位 0 到 1 会影响闪存寿命）。

为此，我想实现滴答计数器在哪个字节序列（大约 KBytes，取决于我的计数器最大值，通常等于块大小）分配给计数器的每个增量连续位将从 1 开始设置为 0 MSB。我将编写自定义闪存驱动程序来处理计数器操作。

例如：

Val0: 1111 1111 1111 1111 .... Val1: 0111 1111 1111 1111 .... Val2: 0011 1111 1111 1111 .... 优点滴答计数器：

只有当我们想要使计数器归零时才需要擦除。

但是是否可以在不擦除（NAND/NOR）的情况下将位从 1 编程到 0，如果可以，这会影响 P/E 周期数吗？

【参考方案1】：

这取决于零件。我见过一些 NOR 闪存部件支持在擦除之前最多覆盖单个单元四次。超过覆盖能力会损坏单元。我见过制造商要求在擦除之前只写入一次页面的 NAND 闪存部件。我见过一些未指定的较旧的 NAND 和 NOR 闪存部件。最好检查您的数据表。