如下图所示，是来自TI的参考设计TIDA-00982中的一个电路，功能主要是防止输入反接，R6和C6形成吸收回路，可以对上电过冲有一定的抑制作用。电源正常接入时，PMOS导通，给负载供电，由于VDS的存在，所以负载两端的电压相对输入电压会有降低，MOS也会有一定的损耗和温升，这是这种类型的防反接电路不可避免的。D1的作用是保护MOS的VGS不被反向击穿，在TI的该应用中的最高输入电压为28V，而这个MOS的VGS最大为25V，所以这里加了一个8.2V的稳压管将VGS的电压稳定在8.2V左右，以保护MOS不被高压击穿损坏。而R9是为D1提供静态电流的，起限流左右。当电源接反时，PMOS关断，MOS的寄生二极管也截止，负载与电源断开，不能供电。但是发现一个隐患就是，VDS电压为-28V，而TI选的这个MOS的最大VDS电压为-30V，个人感觉裕量有点小。
——个人随笔，随手记下，点滴积累。