STM32F4 FLASH笔记

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了STM32F4 FLASH笔记相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

STM32 FLASH

 

Cortex M3 M4存储器映射:

 

 

 

 

 

地址空间可以通过一种方式分为8个512MB的空间:

STM32F4xx寄存器边界地址:

 

 

 STM32F4xx内存和Flash地址:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

STM库函数操作FLASH:

1.    FLASH解锁、上锁函数

对内部FLASH解锁、上锁的函数见代码清单 502。

 FLASH解锁、上锁

1

2 #define FLASH_KEY1 ((uint32_t)0x45670123)

3 #define FLASH_KEY2 ((uint32_t)0xCDEF89AB)

4 /**

5 * @brief Unlocks the FLASH control register access

6 * @param None

7 * @retval None

8 */

9 void FLASH_Unlock(void)

10 {

11 if ((FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) != RESET) {

12 /* Authorize the FLASH Registers access */

13 FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;

14 FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;

15 }

16 }

17

18 /**

19 * @brief Locks the FLASH control register access

20 * @param None

21 * @retval None

22 */

23 void FLASH_Lock(void)

24 {

25 /* Set the LOCK Bit to lock the FLASH Registers access */

26 FLASH->CR |= FLASH_CR_LOCK;

27 }

解锁的时候,它对FLASH_KEYR寄存器写入两个解锁参数,上锁的时候,对FLASH_CR寄存器的FLASH_CR_LOCK位置1。

 

 

2.    设置操作位数及擦除扇区

解锁后擦除扇区时可调用FLASH_EraseSector完成,见代码清单 503。

 擦除扇区

26 FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange)

27 {

28 uint32_t tmp_psize = 0x0;

29 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

30

31 /* Check the parameters */

32 assert_param(IS_FLASH_SECTOR(FLASH_Sector));

33 assert_param(IS_VOLTAGERANGE(VoltageRange));

34

35 if (VoltageRange == VoltageRange_1) {

36 tmp_psize = FLASH_PSIZE_BYTE;

37 } else if (VoltageRange == VoltageRange_2) {

38 tmp_psize = FLASH_PSIZE_HALF_WORD;

39 } else if (VoltageRange == VoltageRange_3) {

40 tmp_psize = FLASH_PSIZE_WORD;

41 } else {

42 tmp_psize = FLASH_PSIZE_DOUBLE_WORD;

43 }

44 /* Wait for last operation to be completed */

45 status = FLASH_WaitForLastOperation();

46

47 if (status == FLASH_COMPLETE) {

48 /* if the previous operation is completed, proceed to erase the sector */

49 FLASH->CR &= CR_PSIZE_MASK;

50 FLASH->CR |= tmp_psize;

51 FLASH->CR &= SECTOR_MASK;

52 FLASH->CR |= FLASH_CR_SER | FLASH_Sector;

53 FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;

54

55 /* Wait for last operation to be completed */

56 status = FLASH_WaitForLastOperation();

57

58 /* if the erase operation is completed, disable the SER Bit */

59 FLASH->CR &= (~FLASH_CR_SER);

60 FLASH->CR &= SECTOR_MASK;

61 }

62 /* Return the Erase Status */

63 return status;

64 }

本函数包含两个输入参数,分别是要擦除的扇区号和工作电压范围,选择不同电压时实质是选择不同的数据操作位数,参数中可输入的宏在注释里已经给出。函数根据输入参数配置PSIZE位,然后擦除扇区,擦除扇区的时候需要等待一段时间,它使用FLASH_WaitForLastOperation等待,擦除完成的时候才会退出FLASH_EraseSector函数。

 

3.    写入数据

对内部FLASH写入数据不像对SDRAM操作那样直接指针操作就完成了,还要设置一系列的寄存器,利用FLASH_ProgramWord、FLASH_ProgramHalfWord和FLASH_ProgramByte函数可按字、半字及字节单位写入数据

16 FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)

17 {

18 FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

19

20 /* Check the parameters */

21 assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));

22

23 /* Wait for last operation to be completed */

24 status = FLASH_WaitForLastOperation();

25

26 if (status == FLASH_COMPLETE) {

27/* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */

28 FLASH->CR &= CR_PSIZE_MASK;

29 FLASH->CR |= FLASH_PSIZE_WORD;

30 FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;

31

32 *(__IO uint32_t*)Address = Data;

33

34 /* Wait for last operation to be completed */

35 status = FLASH_WaitForLastOperation();

36

37 /* if the program operation is completed, disable the PG Bit */

38 FLASH->CR &= (~FLASH_CR_PG);

39 }

40 /* Return the Program Status */

41 return status;

42 }

 

以上是关于STM32F4 FLASH笔记的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章

如何在 STM32F4、Cortex M4 上写入/读取 FLASH

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