8.NandFlash原理分析

Posted 2020-06-13

8.NandFlash原理分析

该节里主要是将NandFlash有关的知识，首先是NandFlash的角色、分类和访问方式。

1. 角色分析：在个人的pc机中，使用硬盘来存储操作系统、数据等信息。在嵌入式领域，拥有硬盘功能的叫NandFlash。所以NandFlash就是存储信息的。
2. NandFlash分类：

SLC原理略图：

MLC原理略图：

从上面可以看到MLC的存储密度比SLC的存储密度大两倍，他们两者的信息比较：

接下来是访问方式：

1. 编址方式。
2. 地址结构。
3. 信号引脚。

1.编址方式：

首先看内存的编址方式图（ARM9）：

上面就是内存的原理图，有地址线和数据线，两者都是连接到CPU的。

可以看到NandFlash的原理图里没有像内存的数据线和地址线。这里内存采用的是统一编址的，就是内存包括在地址空间以内的。而NandFlash是在地址空间以外，采用独立编址的。NandFlash的工作简图：

2.地址结构：

K9F2G08U0A-Nand Flash的基本构成：

 

上面可以看到一个NandFlash的device被划分为多个块，每个块又被划分为多个页，每个页里又被划分为（2K+64）Bytes。其中2K是存数据的主数据区，64Bytes是存校验码等信息的空闲数据区。

行地址就是Page的编号，要访问存储单元，需要先知道Page的编号（列地址），列地址就是在Page里的偏移，就能够定位到要访问的单元了。

3.引脚信号：

剩下引脚的信号信息。