001 二极管和MOSFET
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篇首语：本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了001 二极管和MOSFET相关的知识，希望对你有一定的参考价值。
摩尔定律
- 集成电路上可以容纳的晶体管数目每18个月翻一倍
- 时钟频率区域饱和
- 功耗趋于饱和
MOSFET
阈值电压
V T = V T 0 + γ ( ∣ 2 ϕ F + V S B ∣ − ∣ ϕ F ∣ ) V_T = V_T_0+\\gamma(\\sqrt|2\\phi_F+V_SB|-\\sqrt|\\phi_F|) VT=VT0+γ(∣2ϕF+VSB∣−∣ϕF∣)
- V T 0 ： V S B = 0 时 的 经 验 值 V_T_0：V_SB=0时的经验值 VT0：VSB=0时的经验值
- γ ： 体 效 应 系 数 ， ≈ 0.4 V \\gamma：体效应系数，\\approx0.4V γ：体效应系数，≈0.4V
- ϕ F ： 费 米 势 ， 受 掺 杂 影 响 ， ϕ F = ϕ T l o g ( N A n i ) \\phi_F：费米势，受掺杂影响，\\phi_F=\\phi_Tlog(\\frac N_A n_i) ϕF：费米势，受掺杂影响，ϕF=ϕTlog(niNA)
- V B ↑ ， V S B ↓ ， V T ↓ ， 开 关 速 度 ↑ V_B\\uarr，V_SB\\darr，V_T\\darr，开关速度\\uarr VB↑，VSB↓，VT↓，开关速度↑
- V B ↓ ， V S B ↑ ， V T ↑ ， 漏 电 流 ↓ ， 静 态 功 耗 ↓ V_B\\darr，V_SB\\uarr，V_T\\uarr，漏电流\\darr，静态功耗\\darr VB↓，VSB↑，VT↑，漏电流↓，静态功耗↓
电流电压特性
可变电阻区（线性区）
I D S = μ n C o x W L [ ( V G S − V T ) V D S − V D S 2 2 ] I_DS=\\mu_nC_ox\\frac WL[(V_GS-V_T)V_DS-\\frac V_DS^2 2 ] IDS=μnCoxLW[(VGS−VT)VDS−2VDS2]
- V D S < V G S − V T V_DS<V_GS-V_T VDS<VGS−VT
- L 较 大 , > 0.25 μ m L较大,>0.25\\mu m L较大,>0.25μm
- 对 于 较 小 的 V D S , I D S 与 V D S 线 性 相 关 对于较小的V_DS,I_DS与V_DS线性相关 对于较小的VDS,IDS与VDS线性相关
饱和区
I D S = 1 2 μ n C o x W L ( V G S − V T ) 2 I_DS=\\frac 12\\mu_nC_ox\\frac WL(V_GS-V_T)^2 IDS=21μnCoxLW(VGS−VT)2
- V D S > V G S − V T V_DS>V_GS-V_T VDS>VGS−VT
- L 较 大 , > 0.25 μ m L较大,>0.25\\mu m L较大,>0.25μm
- I D S 不 再 是 V D S 的 函 数 I_DS不再是V_DS的函数 IDS不再是VDS的函数
沟道长度调制
I D S = 1 2 μ n C o x W L ( V G S − V T ) 2 ( 1 + λ V D S ) I_DS=\\frac 12\\mu_nC_ox\\frac WL(V_GS-V_T)^2(1+\\lambdaV_DS) I以上是关于001 二极管和MOSFET的主要内容，如果未能解决你的问题，请参考以下文章