DDR2学习之SRAM,SDRAM,DDR,DDR2的区别

Posted 2021-03-22 gallion8689

　　第一次写博客，写博客的目的是为了将自己的学习过程记录下来，方便自己今后进行复习。最近在做一个视频采集压缩系统，现在正学习到了DDR2的配置，等系统调出来会将之前的部分记录下来。废话不多说,正文开始。

　　SRAM:异步静态随机存储器，一个SRAM单元由4-6个CMOS晶体管组成，数据只有在新的数据来或者断电才会丢失，单片SRAM芯片容量低，价格昂贵。SRAM不需要刷新，速度可以非常快，现在基本可以和CPU主频同速，其工作时不需要外部提供时钟。

　　SDRAM:同步动态随机存储器，SDRAM使用电荷存储数据，功耗较SRAM低，需要不断的进行数据的刷新来保证数据不丢失，SDRAM最多可以做到64M字节，突发长度支持1，2，4，8，page。

　　DDR,DDR2是双速率同步动态随机存储器，是更快速率的SDRAM，在内存时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据的传输。

　　DDR:封装为TSOPII，电压等级为SSTL_25(2.5V),速度可以达到400Mbit/s，内部有2bit预读结构，突发长度支持2，4，8。

　　DDR2:封装为FBGA，电压等级为SSTL_18(1.8V),速度可以达到1066Mbit/s,内部有4bit预读结构，突发长度支持4，8。DDR2较DDR引入了OCD, ODT, POST线

　　OCD:（off chip driver）离线驱动调整，OCD的主要作用在于调整IO接口端的电压来补偿上拉与下拉电阻，从而调整DQS与DQ之间的同步，确保信号的完整和可靠性。调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，以及DQS低电平和DQ低电平的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉或者下拉电阻的等级（加一档或者减一档），直到测试合格才退出OCD操作。具体过程如图所示

 

 

　　ODC:（on die termination）片内终结，DDR主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻，大大增加了主板的制造成本，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也比较低；终结电阻大，数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加，因而主板上的终结电阻并并不能很好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号的品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，当DRAM模组工作时把终结电阻关掉，对于不工作的DRAM模组进行终结操作，这样可以保证最佳的信号波形，不仅降低了成本而且得到了最佳的信号品质。

 

 

　　posted CAS:他是为了结局DDR内存中指令冲突问题，提高DDR2内存利用效率而设计的，其功能优势只有在那些读写非常频繁的运作环境才能体现。