mos工艺中工艺角（tt ff ss）都是代表啥

Posted 2023-03-30

希望能够详细点，先谢啦

Finish-to-Start (TT)，把这个任务的开始日期和前提条件任务的结束日期对齐，一般用于串行的任务安排，前一个任务必须完成后才能启动下一个新任务。

Start-to-Start (SS)，把这个任务的开始日期和前提条件任务的开始日期对齐，一般用于并行任务的安排，也可以一个任务启动后，第二个任务延后或提前数日启动。

Finish-to-Finish (FF)，把这个任务的结束日期和前提条件任务的结束日期对齐，可以用于协调任务的统一时间完成，这样可以定义好任务的开始时间

NMOS的结构如下：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

扩展资料：

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层。

且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。

vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。

N沟道MOS管在vGS<VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。

这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。

参考资料来源：百度百科-NMOS

参考技术A 由于工艺偏差，即使在同一圆片上的芯片，就是不同位置的器件属性会有所不同，就拿MOS管来说（电阻、电容类似)，会有FF、SS、TT、FNSP、SNFP情形，表现出来的特性除了阈值电压不一样以外，还有其他一些参数会有所不同，详情可参见Spicemodel工艺文件.Foundry提供这些工艺角是因为他们的工艺在制作过程中会有所偏差，所以我们在设计芯片时需要考虑工艺偏差，在设计阶段使其在各种工艺角下都能正常工作，这样才能使最后的芯片可靠。
拉扎维，模拟CMOS集成电路设计，中文版，490页
单一器件所测的结果为正态分布，均值为tt，最小最大限制值为ss与ff。本回答被提问者采纳 参考技术B 由于工艺偏差，即使在同一圆片上的芯片，就是不同位置的器件属性会有所不同，就拿MOS管来说（电阻、电容类似)，会有FF、SS、TT、FNSP、SNFP情形，表现出来的特性除了阈值电压不一样以外，还有其他一些参数会有所不同，详情可参见Spicemodel工艺文件.Foundry提供这些工艺角是因为他们的工艺在制作过程中会有所偏差，所以我们在设计芯片时需要考虑工艺偏差，在设计阶段使其在各种工艺角下都能正常工作，这样才能使最后的芯片可靠。
拉扎维，模拟CMOS集成电路设计，中文版，490页
单一器件所测的结果为正态分布，均值为tt，最小最大限制值为ss与ff。