Mos管

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了Mos管相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

1主要分为N沟道和P沟道

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我们常用的是N型的MOS管,因为导通电阻小,容易制造,在原理图可以看到,漏级和源级之间有一个寄生二极管,这叫体二极管,

在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。体二极管只有在单个的Mos管中存在,在继承电路芯片上内部是没有的。

 

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2.导通特性

  G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极

            MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,

    不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。

          场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。

    最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。

    因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

 

  NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,使用于源级接地的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4-10v就可以了。

  PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适用于源级接Vcc情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便的

  用作高端驱动,但是由于导通电阻大,价格贵,种类少,在高端驱动中,还是使用NMOS。

3.MOS开关管损失
       不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。

       选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
       MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,

     MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。
       导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。

     这两种办法都可以减小开关损失。

4.MOS管驱动
    跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。

    在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,

     因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

    第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,

         所以这时 栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,

         要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

 






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