切换面向5G的MRAM准备

Posted 2020-12-18

高密度MRAM作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle MRAM形式的成熟技术的阴影。

对于Everspin而言，Toggle MRAM的成功正在帮助推动其在其他产品领域的雄心壮志，并且最近宣布了其新的32Mb Toggle MRAM，其容量是其当前解决方案的两倍。Everspin表示，它旨在支持需要更高密度选项的关键应用，例如在嵌入式系统和物联网设备中存储配置，设置和数据记录，以及预测5G网络驱动的设备需求。

那么，为什么不让客户使用两个16Mb设备呢？

新的更高容量的Toggle MRAM可以满足客户的需求，这些客户在板上放置了16兆，并在此过程中增加了复杂性并占用了更多空间。Toggle MRAM提供了简便性，特别是当它替换SRAM和EEPROM的组合时，将其描述为“kluge修复程序”，尤其是在SRAM中添加了化学电池之后。从（设计）简单性以及设备的长期可靠性的角度来看，真的没有可比性。

Everspin的新型32Mb Toggle MRAM旨在满足嵌入式系统，物联网设备以及5G网络设备中对配置，设置和数据记录的不断增长的存储要求。

尽管5G仍在加速发展并仍处于测试模式，但Everspin希望它在未来两年内从连接的设备的角度来看爆炸式增长，并且推动这些设备的数据和代码容量需求。仅这些设备的数据流就需要越来越多的持久性以实现断电和数据记录。

Everspin的最新Toggle MRAM已在游戏，工业，军事和航空航天市场与客户一起采样，所有这些产品都利用了该产品的无限循环耐久性，可在-40C至+125C的各种温度范围内进行读写。

除了容量更高之外，32Mb Toggle MRAM还保持了EVERSPIN所有Toggle MRAM设备中可用的快速读写访问速度和20年的数据保留，该公司还发布了新的2Mb和8Mb切换数据容量要求较低的客户，以补充现有的1Mb，4Mb和16Mb设备，这些设备均具有串行和并行接口以及几种流行的封装选项。

许多行业谈论都围绕高密度MRAM中的STT进行，而忘记了Toggle已经存在了一段时间。Everspin于2006年首次投入生产，对于拥有如此庞大和多样化客户群的公司而言，Everspin具有非常广泛的产品组合。它为我们提供了在更先进，更高密度的STT上进行研发的收入。

当今Toggle MRAM的主要用途是在需要维护数据的系统中替换SRAM电池组合，即使电源关闭或出现故障也是如此。在暴露于大量辐射的应用中，特别是在卫星中，它也是SRAM或NOR闪存的绝佳替代品。辐射消除了当今主流技术的负担。

STT-MRAM的开发是为了使MRAM的扩展比Toggle以往任何时候都小。Everspin的低密度旧零件是使用130纳米Toggle MRAM制造的，而该公司的较新的90纳米零件则使用STT。最新的Toggle MRAM产品的主要值得注意的更新是密度。

MRAM引起了代工厂的极大兴趣，因为它们无法制造小于28nm的NOR闪存，并且客户正在寻找替代品，而Everspin正在帮助这些代工厂在其标准CMOS逻辑工艺上推出MRAM。使用MRAM制作的芯片越多，MRAM的生产效率就越高，而其价格却越便宜。这一切都是靠自己为生的，因为它越便宜，它就会卖出更多。

尽管STT-MRAM的规模可以比Toggle小，并且持续的工艺缩减将使MRAM的成本降到SRAM，NOR和DRAM以下，而NAND可能仍在很长一段时间内比MRAM便宜。