MCS-51单片机复位后,第一次压入到堆栈操作的数据被保存到_地址单元

Posted 2023-05-09

在于你给SP的赋值地址，比如程序开始你有mov sp,#5fh，之后出现压栈，那么就是60H，如果你开始没有给SP赋值，缺省状态下SP=07H，所以就是08H。追问

那有两个答案啊，但是题目只给了我08H的表达，为什么会这样呢？还有第一个我不太理解，为啥就到60H了...

追答

一般而言，在汇编编程上，开始都会重设SP的，不然会影响到寄存器工作区的运用，因为很多场合，需要用到多个工作寄存器区，所以缺省时SP=07H就不能满足要求了，对于52单片机因为有256个寄存器可用，一般设置SP都在7FH之后这些不能直接访问的区域。对51而言寄存器进栈是加地址的，所以栈顶初值为5FH的话，第一个压入的地址就为5F+1 了。

参考技术A 如果没有给SP赋值, 默认是08H地址 参考技术B 08H地址单元。

单片机复位后高电平输出问题（收集别人的）

有些电路我需要使用高电平输出有效，但是通电自动复位时单片机IO口会有短时间输出高电平导致继电器误动作怎么办？程序中要求高电平输出有效的我已经将它置位低电平。

解决方案
51单片机复位期间，IO口呈高电平状态，万一IO口控制的设备是使用高电平触发的话，在复位的瞬间会造成设备触发。解决方法： 
1、把MCU换成别的体系的，譬如AVR、PIC等，这些单片机复位时IO口呈浮空高阻状态，不会造成触发。 
2、使用反相驱动，MCU输出低电平反相成高电平再去控制设备。复位时的高电平反相后变成低电平，不会触发。这是比较常用的方法，稳定，但布线复杂了不少。 
3、使用光耦隔离。光耦隔离后MCU也是输出低电平打开光耦再驱动被控设备，复位时的高电平不会打开光耦，不会造成误触发。 
4、使用多余的IO口锁定，这种方法比较奇怪，在没用的IO口里挑一个出来接到NPN管的基极，再把NPN管的发射极接到被控的IO口，复位时所有的IO口呈高电平，NPN管导通，把被控的IO口强行拉低，相当于把被控IO口的电平锁定为低，避免触发被控的设备。这种方法必须配合软件，复位完毕后必须软件把接NPN管基极的那根IO置低电平，释放被控的IO口。这种方法比较少用，毕竟需要有多余的IO口，还必须加上三极管、电阻，布线复杂了不少，成本也增加不少。 
5、使用滤波电容。在被控IO口对地之间接一uF级电容及K级电阻，类似缓冲作用。开机瞬间IO口通过电阻向电容充电，电平有一个逐渐上升的过程。只要电容及电阻的参数选择得当，那么复位时由于缓冲作用IO口还没来得及触发设备时那么MCU已经复位完毕把电平拉低了，这样也就避免了误触发。这种方法有一定限制，会造成设备的响应速度变慢，因此被控的IO口电平不能变化太快，否则由于电容的缓冲作用，设备无法有效控制。