002 反相器的动态特性

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反相器

  • 速度受 R o n R_on Ron C l o a d C_load Cload限制
  • C l o a d C_load Cload依赖于扇出、扇入

延时

  • t r : 上 升 时 间 t_r:上升时间 tr
  • t f : 下 降 时 间 t_f:下降时间 tf
  • t p L H : 上 升 延 迟 t_pLH:上升延迟 tpLH
  • t p H L : 下 降 延 迟 t_pHL:下降延迟 tpHL
  • t p : 传 输 延 迟 , t p = ( t p L H + t p H L ) 2 t_p:传输延迟,t_p=(t_pLH+t_pHL) \\over 2 tptp=2(tpLH+tpHL)
  • t c d L H : 上 升 污 染 延 迟 t_cdLH:上升污染延迟 tcdLH
  • t c d H L : 下 降 污 染 延 迟 t_cdHL:下降污染延迟 tcdHL
  • t c d : 污 染 延 迟 , t c d = ( t c d L H + t c d H L ) 2 t_cd:污染延迟,t_cd=(t_cdLH+t_cdHL) \\over 2 tcdtcd=2(tcdLH+tcdHL)

米勒效应和电容归一化

负载电容 C l o a d C_load Cload


t p ≈ 0.69 R e q ( C i n t + C e x t ) ≈ 0.69 R e q C i n t ( 1 + C e x t C i n t ) t_p\\approx0.69R_eq(C_int+C_ext)\\approx0.69R_eqC_int(1+C_ext \\over C_int) tp0.69Req(Cint+Cext)0.69ReqCint(1+CintCext)

S = W p m o s W n m o s , C i n t = S C r e f = γ C g , R e q = R r e f / S , f = C e x t C g S=W_pmos \\over W_nmos,C_int=SC_ref=\\gamma C_g,R_eq=R_ref/S,f=C_ext \\over C_g S=WnmosWpmos,Cint=SCref=γCg,Req=Rref/S,f=CgCext

t p ≈ 0.69 R e q C i n t ( 1 + C e x t S C r e f ) ≈ t p 0 ( 1 + C e x t S C r e f ) ≈ t p 0 ( 1 + C e x t γ C g ) ≈ t p 0 ( 1 + f γ ) t_p\\approx0.69R_eqC_int(1+C_ext \\over SC_ref)\\approx t_p0(1+C_ext \\over SC_ref)\\approx t_p0(1+C_ext \\over \\gamma C_g)\\approx t_p0(1+ f \\over \\gamma) tp0.69ReqCint(1+SCrefCext)tp0(1+SCrefCext)tp0(1+γCg以上是关于002 反相器的动态特性的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章

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