[4G+5G专题-138]: 终端 - 射频+基带SOC芯片
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第1章 概述
在终端中,为了降低体积,通常射频芯片与基带芯片由同一个厂家SOC芯片提供,同时SOC芯片还会集成应用处理器ARM芯片。
基带芯片通常是DSP或FPGA, 只完成L1的功能.
应用处理器通常是ARM芯片,完成L2/L3/以及应用程序的功能 。
第2章 射频芯片RFIC
2.1 概述
这意味终端芯片可以具备2T8R的能力,每个通路100M或200M, 下行就可以达到8*200=1.6G带宽的能力。
2.2 载波聚合及分类
根据载波之间的连续性区分
(1)频段Band内相邻载波之间的聚合
这种载波聚合, 基站只需要使用相同的射频单元RFIC,把20M带宽扩展成40M或更大的载波带宽即可以。
手机端也只需要支持一个Band硬件。
手机端也只需要支持一个Band硬件,把多个载波,整合成一个更大带宽的载波,一起收发电磁波信号。
(2)频段Band内不相邻载波之间的聚合
这种载波聚合, 基站只需要使用相同的射频单元RFIC,把20M带宽扩展成40M或更大的载波带宽,不同的载波之间,中间是有空隙的。
手机端也只需要支持一个Band硬件,把多个载波,整合成一个更大带宽的载波,一起收发电磁波信号。
(3)不同频段Band之间的载波聚合
这种情况比较复杂,基站需要提供多个不同Band的RFIC。
对于基站,多Band的支持是常见的配置。
然而,对于手机就不常见了,手机需要多个Band的硬件电路,即多组RFIC, 无疑提供了手机终端的硬件成本。
每个Band是独立收发电磁波信号的。
2.3 载波聚合对RFIC的挑战
单个RFCI通常最大可以支持8个下行通道:4*4 MIMO * 2CC = > 8通道, 此时2CC使用不同的RFIC通道,也可以使用相同的RFIC通道,只要两个载波的频谱是错开即可。
单个RFCI通常最大可以支持2个上行通道:如果单通道支持200M, 2载波则可以实现400M的带宽。
如果单通道支持100M, 2载波就可以实现200M的带宽。
但如果需要支持3CC*100M = 300M或3CC * 200M = 600M的载波聚合的话,单个RFIC的带宽就不够用了, 需要多个RFIC并行设计,在支持更大带宽的载波聚合。并行硬件叠加是增加系统容量的常见方法 。
2.3 SUL对RFIC的挑战
SUL,supplimentary uplink,简单翻译过来为补充上行的意思。
在38.101 Table 5.2-1中,将部分Band定义为SUL, 这段低频段频谱只用于上下发送。
CA可以提升速率,SUL(Supplementary Ullink)也可以提升速率,而且还能增强上行覆盖。
由于5G高载频率以及手机发送功率的限制,5G是上行受限系统,在上行覆盖不佳的区域,可以借助低频覆盖好的优势,在TDD模式下,发送上行时隙时, 使用SUL频段进行业务传输。
在上图中,信号覆盖良好的区域,上下行都使用高频段接收和发送数据,而上行覆盖受限的区域,由于基站的发射功率比较大,因此手机可以使用高频段接受信号,而上行是手机发送信号,手机发射功率有限,因此,可以使用低频段发送上行数据,这就是SUL,这有点类似FDD的工作方式。
那么TDD又如何支持这种方式呢? TDD是通过载波聚合CA的方式来支持的。
在上图中,C-Band是一个载波,SUL的频段是另一个载波,基站和终端,通过把这两个载波聚合到一起,看成一个小区来实现的,因此SUL是带间载波聚合。
这种方式,需要终端支持两个独立分离的Band,一个是C-Band,一个是SUL Band。
为了降低终端的硬件成本和功耗,终端的带间的载波聚合与基站的带间载波聚合的实现方式不同,终端采用分时复用的方式复用同一个硬件电路,当然这种SUL载波聚合的实现方式,主要不是解决上行速度问题,主要是解决上行覆盖问题。
第3章 基带芯片
3.1 基带性功能概述
(1)控制面
在控制面,终端除了实现传统的无线空口协议栈L1/L2/3外,还需要实现NAS协议栈。
NAS协议主要是与核心网通信,实现主机的注册等信令控制。
(2)数据面
数据面多了一个SDAP协议, 少了一个RRC协议, 数据面的整体协议如下:
3.2 基带芯片市场
相对于射频芯片和射频前端芯片,市场上有大量的基带SOC芯片,华为、紫光、三星、高通、联发科都有相应的SOC芯片,国内的厂家也能够提供相应的芯片设计和软件实现方案,华为领先全球5G, 核心技术也就是在基带芯片和相应的软件实现。
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