NMOS和PMOS的DCIV仿真

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了NMOS和PMOS的DCIV仿真相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

从零开始学cadence仿真,也算是一个学习记录。仿真软件版本比较低,但是依旧可以表明仿真过程。

NMOS仿真

原理图搭建

搭建NMOS原理图,这里工艺是smic13mmrf_1223。这是栅极电压和漏极电压为变量VGS和VDS。

设置仿真分析

首先对变量进行初步定义,VGS=1.5V VDS先设为0.因为我们要以VDS作为横坐标,所以是一个扫描范围。

然后添加一个DC仿真。VDS变量范围为0-3V

我们要看的数据是漏极电流,因为我们要添加一个输出变量。

选择节点代表看电流,如果选择导线则意味着看电压。

自此,我们就定义了一个输出节点电流,这个时候我们运行仿真。

得到了VGS=1.5V 而VDS 范围为0-3的直流分析。

修改VGS=0.5V ,我们看一下曲线变化。我们选择新生成的曲线为加载,即在原有的图上添加一条曲线。

显然,这样 是不方便的,如果我们直接进行参数扫描就可以直接给出关于不同的的VGS的变化随着VDS的变化。

VGS=0-3.扫描间隔为0.5

这样可就可以表示出我们在不同VGS下的曲线。

进一步的我们记录一下NMO在不同偏置情况下的
region中0代表截止区;
1代表线性区;
2代表饱和区;
3代表亚阈值区

这里提醒一下,关于电流的正负,对于NMOS而言,D是流入所以是正,S是流出,所以是负。

PMOS仿真

原理图搭建

建立PMOS仿真模型,同样的设置,电压Vsg,Vsd。

设置仿真分析

设置基本的仿真参数

仿真结果

我们这里选用的是S端口电压,由于PMOS管是S端流入,D端流出,所以S端口看的电流是正的。

总结

综上我们就做PMOS和NMOS的电流曲线进行了仿真,实际上,当我们需要用到管子的时候,我们是要去调整管子的尺寸的,进一步的观察尺寸对我们设计的影响,也就是看一下静态工作点看一下我们在取不同栅压和漏压情况下的Region、Vth、VGS,ids这些参数,都是可以帮助我们更好的理解电路。

以上是关于NMOS和PMOS的DCIV仿真的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章

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NMOS管和PMOS管做开关控制电路

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