关于场效应管Vgs和Vds电压的问题

Posted 2023-03-30

我很疑惑一个问题，当vgs大于vt时，Nmos管导通，那么这个时候Vds压差应该是0才对啊，为什么还有Vds大到某个值会饱和呢?

导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。 参考技术A 是这样子的，电路有个参考点作为地，平时所说的电压都是相对于地做参考的，比如你所说的D极电压就是D极相对于地的电压。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话，改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。 参考技术B 当Vgs>=Vth时形成反型层，在gate下产生一个电荷分布均匀的沟道（简单理解就是gate底下聚集了一层被吸上来的电子）。但是此时drain和source之间没有电势差，电荷不会自己移动。当Vds>0时，电子从source迁移到drain，产生由drain到source到电流。当Vds>Vgs-Vth时，gate和沟道之间的电势差=Vgs-Vds<Vth,不足以支持反型层（吸引电子），沟道从drain处开始夹断。
具体可参考拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》第二章。