ASEMI肖特基二极管SBT40100VDC正向压降温度系数

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肖特基二极管SBT40100VDC正向压降与温度变化有什么关系?正向压降与温升呈线性关系,当肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降变小时,管温必然升高。

SBT40100VDC参数描述

型号:SBT40100VDC

封装:TO-263

特性:低压降肖特基二极管

电性参数:40A,100V

正向电流(Io):40A

芯片个数:2

正向电压(VF):0.54V

芯片尺寸:120MIL

浪涌电流Ifsm:300A

漏电流(Ir):10uA

工作温度:-65~+150℃

引线数量:3

 

我们知道,对于肖特基二极管来说,一个非常重要的性能指标是正向压降值(即VF值)。正是因为SBT40100VDC具有很低的正向压降值,所以在输出功率一定的情况下,功率损耗比普通二极管低。那么影响SBT40100VDC正向压降的变量有哪些呢?除了芯片性能和工艺技术,温升变化也是一个非常重要的方面。

肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降与温度成反比

SBT40100VDC作为半导体功率器件,在实际电路应用中难免会发热。工作温度逐渐升高,那么这会影响肖特基二极管正向压降的变化吗?答案是肯定的。通过SBT40100VDC的规格书可以看出,常温25°工作条件下压降值为0.54V,温升达到125°时压降值为0.48V,其正向压降值随着温度的逐渐升高而逐渐减小。由此我们可以得出一个结论:肖特基二极管SBT40100VDC正向压降的大小与温度成反比,即温度逐渐升高,压降逐渐减小。

虽然肖特基二极管SBT40100VDC的正向压降随着温度的升高而降低是好的,但漏电流也会增加,漏电流放大会影响功率器件的整体效率,因此在工程设计时需要充分考虑电路转换率和散热措施。

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