测量场效应晶体管 2N3819

Posted 2021-12-04 卓晴

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篇首语：本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了测量场效应晶体管 2N3819相关的知识，希望对你有一定的参考价值。

简介：对于购买到的JFET 2N 3819进行了初步测试，验证了它的基本性能。基于该JFET测试了它的基极感应交流电压的性能。

由于手边商缺少一些高阻值的电阻，相关的电路之后再进行进一步测测试。

关键词： JFET，交流电压，电压检测

§01 2N3819

场效应晶体管 2N3819 具有广泛的应用。但在 基于场效应管2N3819制作非接触电压检测 - 购买到假货了 测试来来自于 TB商家（￥1.0） 的假货。重新从 【原装正品】 2N3819 TO-92 场效应管可控硅原装现货可直接拍（￥：5.0） 购买到的场效应管刚刚到货。测试一下它的主要性能。

下面是本次购买到的2N 3819 。

▲ 图1.1 购买到的2N3819表面丝印

对比一下，上一次购买到假货的2N3819，他们在一些细节上还是有区别。虽然他们的信号标示都是2N3819。

▲ 图1.2 上一次购买到假货的2N3819

一、基本参数

1、晶体管参数模块

利用 晶体管参数测试模块 直接测试购买到的2N3819。

从测试结果上来看，晶体管参数测试模给出了这是一个N沟道的JFET。

▲ 图1.1.1 晶体管参数测试结果

2、万用表测量

将S-G短路，使用数字万用表电阻档测量D-S之间的电阻。D,S的电压极性不同，所测得电阻略有差异。

D-S之间的电阻：

D+,S-：44.7Ω
D-,S+：43.5Ω

▲ 图1.1.2 在面包板上测试DS的基本参数

3、测量DS电压电流

（1）测量方法

通过串联Rd(100Ω)用于测量漏极电流，通过改变V+电压，同时测量Id,Ud，最终绘制出在Ug=0时对应的电流-电压曲线。

▲ 图1.1.3 测量电路

（2）测量结果

测量条件：

Rd：103.5Ω
V+范围：0 ~ 6V

下面是测量得到的在Vgs=0V时，Ud,Id曲线。

▲ 图1.1.4 在Vgs=0V时，Ud,Id曲线

▲ 图1.1.5 对应DATASHEET给定的参考曲线

4、测量VG与Id之间的关系

（1）测量方法

保持V+=6V情况下，改变Vgs，从0V变化到-1V，测量Id的变化。

▲ 图1.1.6 面包板上测量Vg，Id之间的关系

（2）测量结果

可以看到，在Vg 等于-0.7V左右，Id基本上降低到0mA。这与前面使用集体管测量的结果相似。

▲ 图1.1.7 不同Ugs下对应的Id变化。

vdim=[-0.00,-0.02,-0.04,-0.06,-0.08,-0.10,-0.12,-0.14,-0.16,-0.18,-0.20,-0.22,-0.24,-0.27,-0.29,-0.31,-0.33,-0.35,-0.37,-0.39,-0.41,-0.43,-0.45,-0.47,-0.49,-0.51,-0.53,-0.55,-0.57,-0.59,-0.61,-0.63,-0.65,-0.67,-0.69,-0.71,-0.73,-0.76,-0.78,-0.80,-0.82,-0.84,-0.86,-0.88,-0.90,-0.92,-0.94,-0.96,-0.98,-1.00]
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