022 存储器
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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了022 存储器相关的知识,希望对你有一定的参考价值。
分类
SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM
- Static:静态,只要保持通电,数据就不会丢失
- Dynamic:动态,需要定期刷新,数据才不会丢失
- Random:随机,随机访问存储中的数据
- Synchronous:同步,有时钟,同步传输
- SDR:Single Date Rate,时钟上升沿传输数据,数据存储频率=时钟频率(100、133MHz)
- DDR:Double Date Rate,时钟上下沿都传输数据,使用数据速率命名,比如PC2700,是DDR333,工作频率为333/2=166MHz,带宽是2.7G
对比 | SRAM | DRAM |
---|---|---|
原理 | 晶体管和锁存器 | 电容充电+很少晶体管 |
刷新电路 | No | Yes |
速度 | 高 | 低 |
容量 | 小(1-16MB) | 大(1-16GB) |
封装密度 | 低 | 高 |
功耗 | 低 | 高 |
访问时间 | 短 | 长 |
成本 | 数倍于DRAM | 低 |
设计 | 复杂 | 简单 |
应用 | 更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache) | 主内存(main memory) |
DDR SDRAM的速度比DRAM更快,价格更低,容量更大,为什么不用DDR SDRAM做缓存?
ROM
MASK ROM、OPTROM、EPROM、EEPROM
- MASK ROM:掩膜ROM,厂家生产后就无法修改
- OPTROM:一次性ROM,出厂后用户只能修改一次(比如熔丝熔断),可用于存储密钥
- EPROM:可擦除ROM,可多次擦除和写入,需要特性紫外线环境,不方便
- EEPROM:电可擦除ROM,使用更方便
- 上面这些ROM储存容量一般较小,在KB量级
FLASH
- 可写可读,容量较大
为了在降低成本的同时保持性能,NOR FLASH和NAND FLASH都以块(block)为单位进行擦除。块越小,擦除速度越快,但晶圆面积越大,成本越高,因此一般NAND FLASH的块比NOR FLASH小。
NAND FLASH可以直接擦除,NOR FLASH要先写"0"再擦除,因此擦除速度较慢,比如S34ML04G2 Cypress NAND Flash擦除128KB需要3.5ms,S70GL02GT Cypress NOR Flash擦除128KB需要520ms。
为了减轻读取速度慢的限制,NAND FLASH按pages进行读,每个擦除block分为若干个pages进行读取。
为了提高写操作的速度,现代NOR flash还采用了类似于页面写的缓冲区编程。
NOR FLASH的初始化电流比NAND FLASH大,维持电流(standby current)比NAND FLASH小。
NOR
- NOR架构提供了足够的地址线去映射整个存储空间,因此读取时间短、可随机访问、坏块少(100% known good bits),是代码执行的理想选择
- 存储容量小:64Mb - 2Gb
- 以块擦除
- 但也造成了NOR的cell size较大,单bit成本高,写速度和擦除速度低
NAND
- cell size小,单bit成本低,写速度和擦除速度比NOR高
- 存储容量大:1Gb - 16Gb
- 以块擦除
- 读速度低,I/O映射,间接访问,不支持随机访问
- 执行代码要先将代码映射到RAM
- 坏块较多(98% good bits),因此需要ECC(Error Correction Code)
对比 | NOR | NAND |
---|---|---|
容量 | 小 | 理论上至少是NOR的2倍,实际更多 |
读速度 | 高 | 低 |
写速度 | 低 | 高 |
擦除方式 | block | block |
block大小 | 64-256KB | 8-32KB |
擦除速度 | 低 | 高 |
cost-per-bit | 高 | 低 |
接口 | 随机访问 | I/O 间接访问 |
应用 | eXecuteInPlace,代码存储 | 程序/数据大存储 |
SSD
SSD一般为NAND FLASH,分以下几种
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC
- SLC:Single-Level Cell,accept one bit per memory cell,速度最快,最可靠
- MLC:Multi-Level Cell,store two bits per cell,
- TLC:Triple-Layer Cell,write three bits to each cell
- QLC:Quad-Level Cell,write four bits per cell
- PLC:Penta-Level Cell,write 5 bits per cell
SSD的接口一般为SATA、NVMe
- SATA:最常见的硬件驱动接口,SATA III的速度为600MB/s
- NVMe:该接口可以将SSD连接到主板,NVMe通过PCIe传输以获得极高的速度,可以达到SATA的3倍甚至更多
- M.2:计算机内部扩展卡及相关连接器的外观尺寸与针脚的电气接口规范
实际芯片对比
常见存储器的分类
SRAM vs DRAM: Know the Difference
The difference between the SDRAM and SRAM
NAND vs. NOR Flash Memory Technology Overview
Flash 101: NAND Flash vs NOR Flash
以上是关于022 存储器的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章