022 存储器

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了022 存储器相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

分类

SRAM、DRAM、SDRAM、DDR SDRAM

  • Static:静态,只要保持通电,数据就不会丢失
  • Dynamic:动态,需要定期刷新,数据才不会丢失
  • Random:随机,随机访问存储中的数据
  • Synchronous:同步,有时钟,同步传输
  • SDR:Single Date Rate,时钟上升沿传输数据,数据存储频率=时钟频率(100、133MHz)
  • DDR:Double Date Rate,时钟上下沿都传输数据,使用数据速率命名,比如PC2700,是DDR333,工作频率为333/2=166MHz,带宽是2.7G
对比SRAMDRAM
原理晶体管和锁存器电容充电+很少晶体管
刷新电路NoYes
速度
容量小(1-16MB)大(1-16GB)
封装密度
功耗
访问时间
成本数倍于DRAM
设计复杂简单
应用更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存(cache)主内存(main memory)

DDR SDRAM的速度比DRAM更快,价格更低,容量更大,为什么不用DDR SDRAM做缓存?

ROM

MASK ROM、OPTROM、EPROM、EEPROM

  • MASK ROM:掩膜ROM,厂家生产后就无法修改
  • OPTROM:一次性ROM,出厂后用户只能修改一次(比如熔丝熔断),可用于存储密钥
  • EPROM:可擦除ROM,可多次擦除和写入,需要特性紫外线环境,不方便
  • EEPROM:电可擦除ROM,使用更方便
  • 上面这些ROM储存容量一般较小,在KB量级

FLASH

  • 可写可读,容量较大


    为了在降低成本的同时保持性能,NOR FLASH和NAND FLASH都以块(block)为单位进行擦除。块越小,擦除速度越快,但晶圆面积越大,成本越高,因此一般NAND FLASH的块比NOR FLASH小。

NAND FLASH可以直接擦除,NOR FLASH要先写"0"再擦除,因此擦除速度较慢,比如S34ML04G2 Cypress NAND Flash擦除128KB需要3.5ms,S70GL02GT Cypress NOR Flash擦除128KB需要520ms。

为了减轻读取速度慢的限制,NAND FLASH按pages进行读,每个擦除block分为若干个pages进行读取。

为了提高写操作的速度,现代NOR flash还采用了类似于页面写的缓冲区编程。

NOR FLASH的初始化电流比NAND FLASH大,维持电流(standby current)比NAND FLASH小。

NOR

  • NOR架构提供了足够的地址线去映射整个存储空间,因此读取时间短、可随机访问、坏块少(100% known good bits),是代码执行的理想选择
  • 存储容量小:64Mb - 2Gb
  • 以块擦除
  • 但也造成了NOR的cell size较大,单bit成本高,写速度和擦除速度低

NAND

  • cell size小,单bit成本低,写速度和擦除速度比NOR高
  • 存储容量大:1Gb - 16Gb
  • 以块擦除
  • 读速度低,I/O映射,间接访问,不支持随机访问
  • 执行代码要先将代码映射到RAM
  • 坏块较多(98% good bits),因此需要ECC(Error Correction Code)
对比NORNAND
容量理论上至少是NOR的2倍,实际更多
读速度
写速度
擦除方式blockblock
block大小64-256KB8-32KB
擦除速度
cost-per-bit
接口随机访问I/O 间接访问
应用eXecuteInPlace,代码存储程序/数据大存储

SSD

SSD一般为NAND FLASH,分以下几种

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC

  • SLC:Single-Level Cell,accept one bit per memory cell,速度最快,最可靠
  • MLC:Multi-Level Cell,store two bits per cell,
  • TLC:Triple-Layer Cell,write three bits to each cell
  • QLC:Quad-Level Cell,write four bits per cell
  • PLC:Penta-Level Cell,write 5 bits per cell

SSD的接口一般为SATA、NVMe

  • SATA:最常见的硬件驱动接口,SATA III的速度为600MB/s
  • NVMe:该接口可以将SSD连接到主板,NVMe通过PCIe传输以获得极高的速度,可以达到SATA的3倍甚至更多
  • M.2:计算机内部扩展卡及相关连接器的外观尺寸与针脚的电气接口规范

实际芯片对比

常见存储器的分类
SRAM vs DRAM: Know the Difference
The difference between the SDRAM and SRAM
NAND vs. NOR Flash Memory Technology Overview
Flash 101: NAND Flash vs NOR Flash

以上是关于022 存储器的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章

022 存储器

022 包含min函数的栈

存储过程用法

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