nand flash nor flash mcp flash 的区别

Posted 2023-04-15

nor flash的存储区是连续的支持连续烧录，nand不支持连续烧录，其存储区不是连续的。nor出厂可以保证是好的，不存在坏块；nand可能存在坏块。
其他的区别网上可查 参考技术A FLASH存储器又称闪存，主要有两种：NorFlash和NandFlash，简单说明：NAND FLASH内部结构是用与非门组成存储单元的。有非易失性，读写速度快，而且比较容易做到大容量，目前单片NAND FLASH存储容量可以达到8Gbit（1GByte)。NOR FLASH也有非易失性，随机存储速度比NAND FLASH 快得多。所以一般用NOR FLASH用做内存片，或者叫做数据缓冲；而NAND FLASH则一般用来做存储数据用，比方说，U盘.MP3等。
而MCP芯片（Multi-Chip-Package）即多制层封装芯片，在手机等手持智能终端设备上有广泛的应用。手机MCP市场可以分成两个主要部分，一部分是基于NOR闪存的MCP，可以完成芯片内执行XIP功能；另一部分是NAND闪存解决方案与移动DRAM相结合，可以执行存储下载SnD任务

NAND Flash和NOR Flash的比较

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

　　NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

　　NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。象“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

　　NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码;NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。

　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。