硬件设计基础----三极管

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了硬件设计基础----三极管相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

1 什么是三极管

三极管,不管是在模电还是数电中都是常见的电子器件,利用它的特性,在模电中通常作放大作用,而在数电中则作开关或者逻辑转换。三极管的核心结构是PN结,可以是NPN组合,也可以是PNP组合。NPN三极管如图所示:

PNP三极管如图所示:

三极管最基本的作用是放大,把微弱的电信号放大成一定强度的信号,实际是将电源能量转换成信号的能量

NPN型和PNP型三极管电流流动如图所示:

三极管是电流控制器件,但是本身不能把小电流变成大电流,而是控制电路中的电源,间接放大电流

2 三极管的性质

以NPN三极管为例:

电流: 从基极B出来的电子和从集电极C出来的电子最终都会回到发射极E,当作注入电子。即IE=IB+IC

UBE: 当基极与发射极间电压UBE<0.7V时,基极B和集电极C几乎没有电流,IB=0,IC=0。UBE>0.7V时,IB激增,但是IB相对于IC来说还是很小

IC: 当UC的值低于0.7V时,集电极C和基极B的PN结正偏,此时IC会随着UCE的减小而减小

如图所示,假设该NPN三极管放大倍数为100倍,集电极C串联1K电阻接3V电源

截止区: 当UBE<0.7V时截止,此时IB≈IC=0,C极电阻没有压降,所以UCE达到最大值3V
放大区: UBE≈0.7V且βIB<ICmax,此时,0V<UCE<3V
饱和区: UBE≈0.7V且β
IB>ICmax,由于C极电流不可能高于3mA,所以IC保持在最大3mA不能再升高,UCE=0

三极管一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极B上加一个微小的电流时,在集电极C上可以得到一个是基极电流β倍的电流,即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的放大作用

状态直流偏置UBEICUCE
放大状态发射结正偏,集电结反偏硅管0.7V,锗管0.3VIC=β*IB,受控(电流放大作用)UCE>UBE
饱和状态发射结正偏,集电结反偏硅管大于0.7V,锗管大于0.3VIC≠β*IB,不受控(无电流放大)UCE≤UBE
截止状态发射结反偏,集电结反偏硅管小于0.7V,锗管小于0.3VIB=0,β*IB=0,IC≈0UCE≠UBE

输出特性曲线描述的是基极电流 IB为一定量时,集电极电流 IC与管压降 UCE之间的函数关系,如下所示:

3 三极管的分类

晶体三极管按材料分类:锗管和硅管
晶体三极管按工作频率分类:小于3MHz为低频;3MHz<Ft<30MHz为中频;大于30MHz为高频
晶体三极管按输出功率分类:小于1W为小功率管;1W<P<2W为中功率;大于2W为大功率
晶体三极管按结构分类:NPN型和PNP型,区分两种三极管的关键是看发射极的箭头指向,如图所示:


NPN型三极管: 由两块N型和一块P型半导体组成,P型半导体在中间,两块N型半导体在两侧
PNP型三极管: 由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体所组成的三极管,也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管
电流控制
NPN型三极管: 用基极B流向发射极E的电流IB,控制集电极C流向发射极E的电流IC。发射极E电位最低,正常放大时通常VC>VB>VE
PNP型三极管: 用发射极E流向基极B的电流IB,控制发射极E流向集电极C的电流IC。发射极E电位最高,正常放大时通常VC<VB<VE

NPN型和PNP型三极管对比表如下:

三极管电流关系放大状态饱和状态截止状态
NPNIE=IC+IBVC>VB>VEVB>VC>VEVC>VE>VB
PNPIC=IE+IBVE>VB>VCVE>VC>VBVB>VE>VC

三极管的正偏和反偏都是根据三极管的PN结来区分的,如果PN电压为正,则正偏,反之反偏

4 三极管的参数

三极管主要性能参数:

  • 直流参数: 1、共射直流电流放大系数β;2、ICBO是发射极开路时,集电结的反向饱和电流;3、ICEO是基极开路时,集电极与发射极之间的穿透电流
  • 交流参数: 1、共射交流电流放大系数β;2、特征频率fT,频率升高,β降为1时对应的频率
  • 极限参数: 1、最大集电极电流ICM,允许通过的最大电流;2、最大集电极耗散功率PCM,实际功率过大,会烧坏三极管;3、集电极-发射极间击穿电压UCEO,基极开路时,集-射极耐电压值

关于三极管β值:

  • 硅三极管β值常用范围为:30~200
  • 锗三极管β值常用范围为:30~100
  • β值越大,漏电流越大,β值过大的三极管性能不稳定

5 三极管的应用

放大电路

三极管在放大电路中的三种基本接法,共射极电路(信号由基极输入,集电极输出)如图所示:


电压增益Av如下:

Vo与Vi的相位关系: 反相

最大电流增益Ai:

输入电阻:

输出电阻:

用途: 多级放大电路的中间级

共集电极电路(信号由基极输入,发射极输出)如图所示:

电压增益Av如下:

Vo与Vi的相位关系: 同相

最大电流增益Ai:

输入电阻:

输出电阻:

用途: 输入级、中间级、输出级

共基极电路(信号由发射极输入,集电极输出)如图所示:

电压增益Av如下:

Vo与Vi的相位关系: 同相

最大电流增益Ai:

输入电阻:

输出电阻:

用途: 高频或宽频带电路

  • 共射极放大电路可以放大电压,也可以放大电流
  • 共集极放大电路只能放大电流
  • 共基极放大电路只能放大电压

开关电路

晶体三极管作为开关使用时,NPN型三极管控制接GND的引线,PNP型三极管控制接VCC的引线,如图所示:


NPN管,当基极输入高电平,则NPN三极管导通;PNP管,当基极输入低电平,则PNP三极管导通
三极管闭合时是低阻态,断开时是高阻态,负载通常为蜂鸣器、继电器、LED显示器等。基极限流电阻R通常取值10K

逻辑电路

非门(NOT)和与门(AND)电路图如下:

或门(OR)、与非门(NAND)和或非门(NOR)电路图如下:

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