何为EPSP IPSP 是如何产生的

Posted 2023-05-12

EPSP是烯醇丙酮酸磷酸莽草酸，EPSP的形成是兴奋性递质，使某些离子通道开放，后膜对Na+和K+的通透性增大，且钠离子内流大于钾离子外流，故发生净内向电流。

ipsp（inhibitory post-synaptic potential；抑制性突触后电位）指的是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl-通透性增加，Cl-内流产生局部超极化电位。

EPSP和ipsp的特点：

EPSP持续10ms左右，能总和。EPSP由Na+与K+通过统一通道同时移动形成，形成EPSP的粒子流可能还包括Cl-的内流。当EPSP达到阈电位水平时则爆发峰电位。

在抑制性递质作用下，后膜产生超极化电位，成为抑制性突触后电位(IPSP)。IPSP持续约10ms，能总和。由于抑制性递质突触后膜对Cl-、K+通透性增加，致使Cl-内流和(或)K+外流而产生IPSP。

以上内容参考：

百度百科-EPSP （烯醇丙酮酸磷酸莽草酸）

百度百科-ipsp

参考技术A 突触后电位-
1.兴奋性突触后电位（epsp）-突触后膜的膜电位在递质作用下发生去极化改变，导致该神经元对其它刺激的兴奋性增高，这种电位变化称为epsp.是突触后膜产生的局部兴奋，可以发生总和。
*epsp产生的离子机制
(突触后膜-na+,k+内流-去极化)
2.抑制性突触后电位（ipsp）-突触后膜的膜电位在递质作用下发生超极化改变，导致该神经元对其它刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为ipsp.
*ipsp产生的离子机制
(突触后膜-cl-内流-超极化)
突触后神经元的胞体好似一个整合器，突触后膜的电位改变取决于
同时产生的epsp与ipsp的代数和，当后膜电位去极化到阈电位水平，
在比较细小的轴突始段引发扩布性动作电位。
突触后抑制（postsynapticinhibition）-
抑制性中间神经元释放抑制性神经递质，使与其发生突触联系的突触
后神经元产生ipsp，从而使突触后神经元发生抑制。

如何为自定义输入迭代器定义指针

【中文标题】如何为自定义输入迭代器定义指针

【英文标题】：How to define pointer for a custom input iterator

【发布时间】：2015-11-19 13:42:29

【问题描述】：

我正在编写一个自定义输入迭代器，它适应底层序列并产生转换后的值（我知道boost::transform_iterator，但这是特殊的）。

我不确定如何为此迭代器定义pointer-type。由于迭代器动态生成值，reference 被定义为value_type 的别名（允许输入迭代器，reference 必须只能转换为value_type）。我的直觉是它仍然只是value_type *，我真的想不出还有什么有意义的。

但是，我没有找到任何有关pointer 预期使用的上下文的信息，因此不知道对其有什么要求，以及boost::transform_iterator 的文档（通常提供有用的建议）对这个问题保持沉默。

所以我的问题是，将pointer 定义为value_type * 通常安全吗？如果没有，有什么替代方案？

【参考方案1】：

我在标准中唯一能找到它们应该引用的内容来自 [iterator.traits]

[...]此外，类型

iterator_traits<Iterator>::reference
iterator_traits<Iterator>::pointer

应定义为迭代器的引用和指针类型，即对于一个迭代器对象a，分别与*a和a->的类型相同。