SPARK 网络讲座：新品预告丨用于3D NAND, DRAM和高级存储器的快速叠层计量

Posted 2021-04-03 赛默飞材料与结构分析中国

问

为什么高纵横比结构的计量非常困难且耗时？

要在不牺牲成品率的情况下增加内存容量以满足比特需求并非易事。内存（如 3D NAND）的垂直堆叠取决于蚀刻工艺的精度，以利用更高的纵横比，然而沉积一致性可能难以实现。随着纵横比的增加，FAB 和实验室内存 FA 工程师面临着更为复杂的挑战。其中包括：

测量和分析当前内存设备（如 3D NAND）中更复杂的垂直堆叠和超高纵横比 (HAR) 结构。

访问难以到达的站点或深藏在垂直堆叠中的目标区域。

通过更快的数据处理缩短故障分析时间，从而优化制造品输出。

外包给外部实验室并不能为制造商优化产品上市时间。

对于想要降低每个硅片成本的 3D NAND、DRAM 和高级内存制造商而言，FAB FA 工程师无法依赖于缓慢的分析周期。于是，在自身的制造环境中，他们需要测量系统，同时也需要额外的工具来维护自身的制造环境。

立即注册参加本次 SPARK 网络讲座

在本网络讲座中，您将了解到：

这款新产品的高性能。

可以在每层实现纵向结构测量。

如何在每个阶段识别缺陷和制程偏移。

如何缩短数据处理时间、样品周转时间、工艺开发周期和产品上市时间。

网络讲座时间

2021年3月9日北京时间下午1:00

注册方式

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目标受众

凡是想要了解如何更快获取数据以进行堆叠计量的人士，都适合参加本网络讲座。这包括：

3D NAND、DRAM 和高级内存制造商。

内存 FA 经理和工程师。

关于 SPARK：

SPARK 是赛默飞世尔科技提供的一个知识平台，它有助于节约时间、节省资金并率先掌握先进的半导体技术。

SPARK 是一个合作空间，行业思想领袖齐聚在此，就工具性能和典范做法各抒己见。SPARK 为想要轻松获取可执行的半导体和微电子见解以及了解先进解决方案的专业人员打造了一个社区。当中还包括了赛默飞世尔科技半导体产品和工作流程的新信息。

关于主讲人：

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顾晓汀 博士

现任于赛默飞世尔科技公司半导体解决方案市场经理，拥有半导体加工，微电子，电镀和物理冶金等行业丰富的工作经验。他拥有超过10年的FIB/SEM双束电镜产品应用经验，曾任赛默飞世尔科技公司高级应用开发工程师，以及美国泛林公司(Lam Research)制程工程师职位。已获得美国俄亥俄州凯斯西储大学材料科学与工程硕士与博士学位及约翰卡罗尔大学创新领域工商管理硕士学位。