GD32的flash读擦除写操作
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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了GD32的flash读擦除写操作相关的知识,希望对你有一定的参考价值。
GD32的flash特征
1、在flash的前256K字节空间内,CPU执行指令零等待;在此范围外,CPU读取指令存在较长延时;
2、对于flash大于512KB(不包括等于512KB)的GD32F10x_CL和GD32F10x_XD,使用了两片闪存;前512KB容量在第一片闪存(bank0)中,后续的容量在第二片闪存(bank1)中;
3、对于flash容量小于等于512KB的GD32F10x_CL和GD32F10x_HD,只使用了bank0;
4、对 于 GD32F10x_MD , 闪 存 页 大 小 为 1KB 。 GD32F10x_CL 和 GD32F10x_HD ,GD32F10x_XD,bank0的闪存页大小为2KB,bank1的闪存页大小为4KB;
5、支持32位整字或16位半字编程,页擦除和整片擦除操作;
GD32的flash结构
GD32F10x_MD
GD32F10x_CL,GD32F10x_HD 和 GD32F10x_XD
GD32的flash读操作
flash可以像普通存储空间一样直接寻址访问。
value=*(uint32_t*)FlashAddr;
uint16_t IAP_ReadFlag(void)
{
return *(volatile uint16_t*)(FLASH_ADDR);
}
GD32的flash擦除操作
页擦除
每一页可以被独立擦除,步骤如下:
- 确保FMC_CTLx寄存器不处于锁定状态;
- 检查FMC_STATx寄存器的BUSY位来判定闪存是否正处于擦写访问状态,若BUSY位为1,则需等待该操作结束,BUSY位变为0;
- 置位FMC_CTLx寄存器的PER位;
- 将待擦除页的绝对地址(0x08XX XXXX)写到FMC_ADDRx寄存器;
- 通过将FMC_CTLx寄存器的START位置1来发送页擦除命令到FMC;
- 等待擦除指令执行完毕,FMC_STATx寄存器的BUSY位清0;
- 如果需要,使用DBUS读并验证该页是否擦除成功。
代码上直接调用GD的库函数即可:
void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
{
fmc_unlock(); //fmc解锁
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */
fmc_page_erase(Page_Address);
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上锁
}
要擦除连续的几页:
void fmc_erase_pages(void)
{
uint32_t erase_counter;
/* unlock the flash program/erase controller */
fmc_unlock();
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase the flash pages */
for(erase_counter = 0; erase_counter < page_num; erase_counter++){
fmc_page_erase(FMC_WRITE_START_ADDR + (FMC_PAGE_SIZE * erase_counter));
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
}
/* lock the main FMC after the erase operation */
fmc_lock();
}
整片擦除
void fmc_erase_page(uint32_t Page_Address)
{
fmc_unlock(); //fmc解锁
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
/* erase whole chip */
fmc_mass_erase();
/* clear all pending flags */
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
fmc_lock(); //fmc上锁
}
GD32的flash写操作
往flash的某个地址写入数据前,一般要先擦除该地址。
16位半字编程:
void IAP_WriteFlag(uint16_t flag)
{
fmc_unlock();
fmc_page_erase(IAP_FLAG_ADDR);
fmc_halfword_program(IAP_FLAG_ADDR,flag);
fmc_lock();
}
32位整字编程:
void fmc_program(void)
{
/* unlock the flash program/erase controller */
fmc_unlock();
address = FMC_WRITE_START_ADDR;
/* program flash */
while(address < FMC_WRITE_END_ADDR){
fmc_word_program(address, data0);
address += 4;
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_END);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_WPERR);
fmc_flag_clear(FMC_FLAG_BANK0_PGERR);
}
/* lock the main FMC after the program operation */
fmc_lock();
}
以上是关于GD32的flash读擦除写操作的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章