模组使用之SIM卡读取失败的原因和排查流程

Posted 2021-07-15 qlexcel

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模组外置SIM卡，读卡失败可能原因

1、外置 SIM 卡电路电容过大。此时，由于外部 SIM 卡电路电容过大，充电时间长，导致电平跌落产生波形变形，从而造成无法读取到 SIM 卡状态；

2、SIM 卡电路 SIM_DATA 引脚未加上拉电阻。插拔式 SIM 卡目前分为普通级 MP1 卡和工业级 MP2 卡，某些生产厂家的 MP2 卡相比于其他 SIM 卡需要更大的驱动电流，这种时候如果不添加上拉电阻，就会出现读卡失败的情况，建议在做 SIM 卡电路设计时，都按照参考设计将 SIM_DATA 引脚通过 10k 电阻上拉到 SIM_VDD，从而预防此类问题出现；

3、SIM 卡电路 SIM_DATA 和 SIM_CLK 引脚受干扰。由于 SIM_DATA 和 SIM_CLK 是高低电平信号，频率高，容易受到电路板上的纹波干扰导致波形变形， 设计中严禁将 VBAT 线和 RF 线靠近或与 SIM_DATA 和 SIM_CLK 走线交叉；

4、SIM 卡与卡座接触不良。某些产品设计中可能将 SIM 卡槽与地面保持垂直放置，这种情况下容易出现 SIM 卡与卡座脱落的，其次， 个别卡槽本身构造问题容易出现 SIM 卡松动，建议设计中采用带卡扣的 SIM 卡槽。

排查流程

模组的SIM卡布线设计注意事项

1、SIM 卡的布线尽可能短，且尽量靠近模组。布线长度建议最大值为 10cm， SIM 卡相关走线尽量走在一起，并包地， VREG_SIM 走线宽度示长度而定，推荐 10mil线宽；

2、SIM 卡的走线按总线方式走线，并注意保护，防止被干扰，否则可能会引起 sim 卡重启等风险；

3、SIM 卡的 ESD 防护器件，要尽可能靠近 SIM 卡处，防止静电对模组的干扰。布线时注意要将ESD 器件串联在电路中。

模组无法读卡并且模组SIM_VDD输出0V是什么原因？

  模组无法读卡时，给SIM卡供电的SIM_VDD为0V是模组的正常机制。在逻辑上是模组开机上电后，SIM_VDD先输出1.8V的电平尝试读SIM，无法读取时SIM_VDD会切换到3.3V再次尝试读卡，还是无法读卡时SIM_VDD会变为0V，因为此过程在上电瞬间完成，所以如使用万用表测量是看不到此过程的，图1是监控的模组未检测到SIM卡时SIM_VDD的电平变化情况。所以是因为无法读卡SIM_VDD才变成0V的，而不是因为模组的SIM_VDD输出0V导致的无法读卡。