STM32F407，了解的请介绍下这个芯片性能，谢谢

Posted 2023-04-09

1.STM32F407ZG应用
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用：PLC，变频器，断路器
打印机和扫描仪
报警系统，可视对讲，暖通空调
家用音响设备

2.STM32F407ZG概述
STM32F407ZG系列是基于高性能的ARM®Cortex™-M4F的32位RISC内核，工作频率高达168 MHz的。的Cortex-M4F核心功能支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型的单精度浮点单元（FPU）。它还实现了一套完整的DSP指令和内存保护单元（MPU），从而提高应用程序的安全性。

该STM32F407ZG系列采用高速嵌入式存储器（多达1 MB闪存，高达192 KB的SRAM），最多4字节的备份SRAM，以及广泛的增强I / O的连接到两条APB总线和外设，两个AHB总线和一个32位的多AHB总线矩阵。
所有STM32F407ZG设备提供3个12位ADC，两个DAC，1个低功耗RTC，12个通用16位定时器，其中包括两个用于电机控制的PWM定时器，两个通用32位定时器。一个真正的随机数发生器（RNG）。他们还配备了标准和先进的通信接口。

3.STM32F407ZG参数

STM32F407ZG存储器程序闪存（KB） 1024 RAM（KB） 192

STM32F407ZG性能参数，工作频率（兆赫） 168
16位定时器（IC / OC / PWM） 12（24/24/30）
32位定时器（IC / OC / PWM） 2（8/8/8）
A / D转换器 3X12位
D / A转换器 2X12位
通信接口 3xSPI 2xI2S 2xI2C; 4xUSART 2xUART 两个USB OTG（FS + FS / HS）;
2xCAN 1xSDIO 以太网MAC10/100 的I / O 114
电压（V）：1.8到3.6

4.STM32F407ZG封装与引脚

LQFP144 参考技术A

STM32F4是由ST(意法半导体)开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™)。

简介：

ST(意法半导体)推出了以基于ARM® Cortex™-M4为内核的STM32F4系列高性能微控制器，其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™)。

ART技术使得程序零等待执行，提升了程序执行的效率，将Cortext-M4的性能发挥到了极致，

使得STM32 F4系列可达到210DMIPS@168MHz。

自适应实时加速器能够完全释放Cortex-M4 内核的性能;当CPU 工作于所有允许的频率(≤168MHz)时，在闪存中运行的程序，可以达到相当于零等待周期的性能。

STM32F4系列微控制器集成了单周期DSP指令和FPU(floating point unit，浮点单元)，提升

了计算能力，可以进行一些复杂的计算和控制。

STM32 F4系列引脚和软件兼容于当前的STM32 F2系列产品。

优点

※兼容于STM32F2系列产品，便于ST的用户扩展或升级产品，而保持硬件的兼容能力。

※集成了新的DSP和FPU指令，168MHz的高速性能使得数字信号控制器应用和快速的产品开发达到了新的水平。提升控制算法的执行速度和代码效率。

※先进技术和工艺

- 存储器加速器:自适应实时加速器(ART Accelerator™ )

- 多重AHB总线矩阵和多通道DMA:支持程序执行和数据传输并行处理，数据传输速率非常快

- 90nm工艺

※高性能

- 210DMIPS@168MHz

- 由于采用了ST的ART加速器，程序从FLASH运行相当于0等待更多的存储器

- 多达1MB FLASH (将来ST计划推出2MB FLASH的STM32F4)

- 192Kb SRAM:128KB 在总线矩阵上，64KB在专为CPU使用的数据总线上高级外设与STM32F2兼容

- USB OTG高速 480Mbit/s

- IEEE1588， 以太网 MAC 10/100

- PWM高速定时器:168MHz最大频率

- 加密/哈希硬件处理器:32位随机数发生器(RNG)

- 带有日历功能的32位RTC:<1 μA的实时时钟，1秒精度

※更多的提升

- 低电压:1.8V到3.6V VDD，在某些封装上，可降低至1.7V

- 全双工I2S

- 12位 ADC:0.41us转换/2.4Msps(7.2Msps在交替模式)

- 高速USART，可达10.5Mbits/s

- 高速SPI，可达37.5Mbits/s

- Camera接口，可达54M字节/s

什么是NAND芯片？

我是一个毕业生。如果领导问你：什么是NAND芯片？该怎么回答好。看网上有很多介绍，但感觉把NAND的芯片特点说了也相当于没说。有没有一阵见血的回答。求知识帝。谢谢。

同学，你是学微电子的么？要了解NAND芯片就要了解NAND和NOR储存芯片内部的结构单元，了解浮栅原理，才能对它有深入的了解。

楼上提的都是这两种芯片的特点，可能还没达到你的要求，我来补充下吧。

如图所示，

      Nand比Nor晚开发出来，在基本单元结构上，Nand 是用的晶闸管(含浮栅）源极漏极首尾串联的形式，比如32个晶闸管串联称为一个块Block，擦除和编程必须以这个最小单元操作。优点你可以从图上看出来，储存密度大大提升（虽然晶闸管数量并没少,布线空间节省了)。缺点也很明显，一个晶闸管坏了，一个块全坏，所以用Nand的话软件上要做很多纠错，比如ECC.由于每个晶闸管没有单独的Bit line,所以读速度大受影响，随机读速度只能达到25us(微秒级).但擦除比较快。

      而Nor呢，每个晶闸管(含浮栅）都连接Bit Line和Word Line,所以可以做到随机访问，随机读速度可以达到60~70ns(纳秒级).但Nor的缺点是擦除很慢，原因就是它不能一个块一个块擦。

      基本结构上就是这个差别，也就是最基本的差别。衍生出来当然又更多不同，比如Nand接口没有地址线，Nor接口含完整地址线，兼容SRAM操作。Nand通常用来储存资料而不是放程序文件，因为程序文件大量用到随机存取，而这个是Nand不擅长的。

      我这里有一份Nand的资料，是toshiba的资料，你如果需要更详细的，在里面能找到答案，留下邮箱我可以发给你~~

参考技术A 闪存的两种类型：NOR型与NAND型。NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。 参考技术B 　　NAND芯片是采用Nand-flash内存的芯片。
　　Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
　　1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 参考技术C 同意楼上!