铠侠在日本“全国发明表彰计划”中荣获2021年发明奖

Posted 2021-06-08 sinat_41698914

东京--(美国商业资讯)--全球存储解决方案领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布，其半导体闪存寿命延长技术（专利号4461170）获得了日本“全国发明表彰计划”(National Commendation for Invention)的2021年“发明奖”(Invention Prize)。“全国发明表彰计划”始创于1919年，是日本致力于促进科学、技术和工业的一项计划，旨在表彰杰出的发明、创意和设计。

 

获奖者（均为铠侠固态硬盘(SSD)部门员工）：

 

• Kazuya Kitsunai，专家
• Shinichi Kanno，首席专家
• Hirokuni Yano，团队经理
• Toshikatsu Hida，首席专家
• Junji Yano，首席专家

 

铠侠的获奖技术为延长固态硬盘中闪存的寿命提供了一种突破性方法，数据中心越来越需要这种方法来满足对大容量、高可靠性存储器日益增长的需求。

 

传统的磨损均衡技术使每个存储单元中的数据被擦除的次数相等，而新技术则尽可能地减少了缩短闪存寿命的数据擦除间隔数量。铠侠的技术可将数据分配到空置时间较长的区域，确保各存储单元有一定时长的擦除间隔，以防止某个特定区域出现过载。此外，该技术可将长期存在的数据归类为重写可能性较低的冷数据，并将这些数据转移到擦除相对频繁的空置区域，从而防止特定区域在短时间内集中重写。

 

铠侠的突破性技术还在2020年“关东地方发明表彰计划”(Local Commendation for Invention of Kanto)中荣获“发明鼓励奖”(Invention Encouragement Prize)。此外，铠侠还凭借高密度3D闪存设备和相关制造技术获得了“全国发明表彰计划”的2020年“帝国发明奖”(Imperial Invention Prize)。

 

铠侠以“通过存储技术助力世界发展”为使命，致力于有益于世界人民的研究和技术开发。

 

关于铠侠

 

铠侠(Kioxia)是存储器解决方案的全球领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝于1987年发明了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器(Toshiba Memory)从东芝剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户创造选择，为社会创造基于存储器的价值，从而通过存储技术助力世界发展。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心。