模拟电路——电容三极管场效应管

Posted 马己

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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了模拟电路——电容三极管场效应管相关的知识,希望对你有一定的参考价值。

模拟电路——电容、三极管、场效应管

 

一、电容

1、电容的作用:旁路、去耦、滤波、储能。

a.旁路:使输入电压均匀化,减小噪声对后级的影响;进行储能,当外界信号变化过快时,及时进行电压的补偿;

b.去耦:与旁路电容相似,都有滤除干扰信号的作用。区别在于旁路电容针对输入信号,去耦电容针对输出信号;去耦电容一般比较大,为10uF或更大,旁路电容一般根据谐振频率是0.1uF或者0.01uF。

c.滤波:滤除杂波,大电容滤低频信号,小电容滤除高频信号;

d.储能:存储电荷。外界没有电源时,可短暂作为电源供电;

2、电容极性的判断:

a.铝电容极性判断:长正短负或者电容上标有银色负号的一边为负极;

b.瓷片电容:无极性;

c.独石电容:无极性;

3、注意事项:

a.连接电路时防止短接;

b.使用时,电压不能超过耐压值;

c.电容值的选取可参考别人的经验;

对电容参数的读数方法也需要有一定了解。

二、三极管

1、三极管的分类:

三极管可分为NPN型三极管PNP型三极管

2、三极管的工作状态:

a.截止状态:当发射结反偏时,三极管处于截止状态。此时,IB=0,IC=0,IE=IB+IC=0;集电极和发射极之间相当于开路。

b.放大状态:当发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于放大状态。此时,IB=(VCC-UBE)/RB,UBE约为0.7V(导通压降);IB=βIC,当IB一定时,IC的大小几乎不随UCE的增大而增大,且IC的大小受IB控制;IE=IB+IC=(1+β)IB;

c.饱和状态:当发射结与集电结都正偏时,三极管处于饱和状态。此时,IB和IB都很大,IC不受IB控制,UCE两端电压很小,相当于导线;一般认为硅饱和导通的UCE压降为0.3V,锗管为0.1V;

3、三极管主要参数:

a.共发射极电流放大系数一般为10~100倍;应用中取30~80为宜;

b.集电极最大允许电流ICM

c.集电极最大允许耗散功率PCM

d.集电极与发射极之间反向击穿电压V(BR)

三极管基础知识不算太难,但结合电路实际应用时需要仔细计算各参数值。如果IB或IC算错,代入公式后结果自然就是错误的,这就需要较完备的电路分析知识。

三、场效应管

1、场效应管分类:

场效应管可分为耗尽型N沟道场效应管、增强型N沟道场效应管、耗尽型P沟道场效应管和增强型P沟道场效应管;耗尽型场效应管没有门坎电压,增强型场效应管有门坎电压(N沟道为1.5V);

2、场效应管各工作区特点:

a.可变电阻区:当UDS比较小时,ID随UGS的变化而变化;

b.恒流区:ID的值不随UDS变化,只随UGS增大而增大;

c.截止区:UGS小于1.5V,ID=0,场效应管不导通;

d.击穿区:当UDS增大到一定值时,场效应管被击穿,ID突然增大,如果没有合适的限流措施,就会导致管子烧坏;

e.过损耗区:在此区域时,功率较大,应注意散热措施;

3、场效应管与三极管的比较:

a.场效应管为电压控制,三极管为电流控制;

b.场效应管输入阻抗极高,意味着场效应管可以仅用很小的电流就可以控制后继元件。而三极管的输入阻抗不高;

c.场效应管噪声小,三极管噪声高;

d.前面几点都是再说场效应管的优点,这里就是场效应管的缺点。三极管反应速度较快,而场效应管速度较慢;

噪声。当输入信号为零即υi=0时,晶体管的各极电流也有变化,特别是集电极电流在恒定的直流电流基础上有波动,从而形成了晶体管的噪声.​​​​​​。(应该可以理解为输出信号的波动吧。。。maybe)

关于解决噪声的方法,还有待学习。。。

以上是关于模拟电路——电容三极管场效应管的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章

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