STM32单片机闪存存储器里存储的是哪些内容？

Posted 2023-03-27

参考技术A 先看rom也就是flash（0x0800
0000-0x0807
ffff）512k，这个空间就是用户存放程序的地方，用户以后自己写boot
loader的时候，也是存放在这个空间里的，system
memory这个空间是2k大小，是st公司在生产完片子的时候，就固化好的isp代码，用户之所以能用上位机软件烧程序就是靠这部分的代码，用户更改不了这个区域，想了解这个区域就看AN2606文档，option
bytes这个区域是16个字节，是控制flash区域的寄存器，想了解这些寄存器看STM32F10xxx闪存编程参考手册，SRAM这个区域的其实地址始终是0x2000
0000，终止地址就得根据你的SRAM的大小来进行计算了，这个区域就是程序运行时的临时变量区，什么堆栈都在这里面

stm32L476 - 擦除闪存

【中文标题】stm32L476 - 擦除闪存

【英文标题】：stm32L476 - erasing flash

【发布时间】：2021-09-28 02:13:20

【问题描述】：

L4 系列使用页（或存储区，如果您进行完全擦除）来擦除闪存。 但是我在擦除页面后遇到了一些问题，我不知道为什么。

只是为了概述目标，我从 0x08080000 开始存储 6 个值（第 256 页） 然后我存储更多的值，从 0x08080800)（第 257 页）到 0x08085800（第 267 页）

我使用一个函数来擦除/写入第 256 页的值：

void write_bias_flash(int16_t biases[]) 
    uint16_t *flash_biases = (uint16_t*) (ADDR_FLASH_PAGE_256);
    static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    Address = ADDR_FLASH_PAGE_256;

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.Page = 0;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;
    EraseInitStruct.NbPages = 1;

    HAL_FLASH_Unlock();
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) 
        serprintf("Error erasing biases at address: 0x%x", Address);
    
    for (int8_t bias = 0; bias < 6; bias++) 
         if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD,
                Address + bias * sizeof(uint64_t), (uint64_t) biases[bias])
                != HAL_OK)
            serprintf("Error writing biases to flash.");
     
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Biases stored in flash.");

这项工作很棒。没有问题。

我有两个函数用于擦除/写入从 0x08080800 开始的数据）（第 257 页）：

void Erase_TM_Flash() 
    uint8_t *flash = (uint8_t*) (FLASH_USER_START_ADDR);
    uint8_t *b = (uint16_t*) (ADDR_FLASH_PAGE_256);
    static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
    Address = FLASH_USER_START_ADDR;

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
    EraseInitStruct.Page = 1;
    EraseInitStruct.NbPages = 255;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;

    HAL_FLASH_Unlock();
    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) 
        serprintf("Error erasing biases at address: 0x%x", Address);
    

    HAL_FLASH_Lock();

    for (uint16_t i = 0; i< (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t))*255; i++)
    
        if ((uint16_t) *(flash+i) != 255) 
            serprintf("0x%x is not erased (%i)", flash+i, (uint16_t) *(flash+i));
        

    


void Save_to_Flash(uint32_t *data) 

    uint32_t src_addr = (uint32_t) data;
    Erase_TM_Flash();
    serprintf("Saving to flash...");
    HAL_StatusTypeDef HAL_STATUS;

    HAL_FLASH_Unlock();
    Address = FLASH_USER_START_ADDR;
    while (Address < (FLASH_USER_END_ADDR - (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t)))) 
        HAL_STATUS = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FAST, Address, (uint64_t) src_addr);
        if (HAL_STATUS == HAL_OK) 
          Address = Addres+ (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            src_addr = src_addr + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
             else 
                serprintf("Error writing flash at address 0x%x. (%i)", Address, HAL_STATUS);
                Address = Address + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
                src_addr = src_addr + (FLASH_ROW_SIZE * sizeof(uint64_t));
            
    
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Done");
    

擦除工作正常。我验证调试器中的值（并在代码中检查未擦除的页面）。但是当保存发生时：

Error writing flash at address 0x8080800. (1)
Error writing flash at address 0x8080900. (1)
Error writing flash at address 0x8080a00. (1)
Error writing flash at address 0x8080b00. (1)

以此类推，遍历所有剩余的页面。

但是，如果我擦除整个闪存：

void Erase_Flash() 
    serprintf("Erasing flash...");
    HAL_FLASH_Unlock();
    /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

    /* Fill EraseInit structure*/
    EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_MASSERASE;
    EraseInitStruct.Banks = FLASH_BANK_2;

    if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK) 
        serprintf("Error erasing flash.");
    
    HAL_FLASH_Lock();
    serprintf("Done.");

然后写作就像一个魅力。 HAL_STATUS = 1，根据我找到的代码是HAL_ERROR = 0x01U，这并不完全有用。

我不确定有什么区别，但我希望对我的擦除有另一种看法，可能会发现问题。

谢谢！

【参考方案1】：

此问题似乎与闪存快速编程有关，并非所有 STM32 型号都提供此功能。

根据Reference Manual (RM0351)，在使用快速编程之前必须对闪存进行批量擦除。否则会发生编程顺序错误，FLASH_SR 寄存器中的PGSERR 位将被设置。请参阅快速编程/编程错误部分中的3.3.7 Flash 主存储器编程序列和3.7.5 Flash 状态寄存器（FLASH_SR） 在 Bit 7 PGSERR 下。

RM0351 Rev 9，3.3.7 闪存主存储器编程序列，第 106 页：

Fast programming
(...)
1. Perform a mass erase of the bank to program. If not, PGSERR is set.
2. (...)

RM0351 Rev 9，3.3.7 闪存主存储器编程序列，第 107 页：

Programming errors
(...)
PGSERR: Programming Sequence Error
PGSERR is set if one of the following conditions occurs:
– (...)
– In the fast programming sequence: the Mass erase is not performed before setting 
  FSTPG bit.
– (...)

因此，观察到的行为符合预期。 - 所以你可以替换你的Erase_TM_Flash()函数并使用Erase_Flash()首先批量擦除整个闪存库。或者，完全避免使用闪存快速编程，而改用FLASH_Program_DoubleWord() 或FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, ...)。

相关源文件：stm32l4xx_hal_flash.h、stm32l4xx_hal_flash.c

相关帖子：STM32 - writing and reading flash

【讨论】：

谢谢！我已经出城了，无法对此进行评论。但它是有道理的，你已经呈现它的方式。我将不得不重新组织一些事情。