什么是MTD分区和NAND flash

Posted 2023-04-24

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel于1988年首先开发出NOR
flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND
flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口
轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 参考技术A 能改动内核的话，直接把那块flash分个区，然后用户层开mtd设备读取不是更方便么。不能改的话，用户层吧nand控制器那些寄存器手动map出来，然后对照手册操作吧。具体操作我也不是很熟悉，要去看nand flash操作手册和你的SoC的datasheet

nand flash X16和X8在硬件和软件设计上都有哪些差异，请帮忙说明一些，越详细越好。

参考技术A 就是数据位宽度不一样了，X8的需要D0-D7,X16的需要D0-D15，使用上区别不大，X16的用得不多。