内存工作电压 ddr，ddr2 ，ddr3 各多少。。为啥会有这种变化？

Posted 2023-04-02

得购买

由于受到国际DRAM价格走势上涨的影响，DDR400MHz 16Mb上调0.02美元，今天的报价为2.58美元；DDR333MHz 16Mb也攀高0.03美元，今天的报价为2.62美元。加上步入暑期消费旺季，内存市场在上星期开始全面爆涨，主流的512M已突破400大元，上涨幅度最高达到30多元。其中比较受消费者欢迎的kingston 512M DDR400不知不觉的升到410元左右了。尽管近日内存不断上涨，估计近期内存价格下降的可能性不大，始终“该出手时就要出手”，有购买欲的朋友情快些出手啦！

2、未来主流DDR2及最新价格

INTEL945、955等主流芯片组已经全面推广DDR2内存，主流的DDR2 533在新能上还未能超越DDR400，甚至某些方面比DDR400更落后。其原因在于DDR2先天的硬伤—内存CAS延迟时间（CAS Latency），DDR2的CAS延迟时间通常设定为3、4、5，和DDR内存的2、2.5、3相比要慢一些。在这样的前提下最优化时序的DDR2 SDRAM内存模组比同样优化的同频率DDR SDRAM内存模组比较会在内存带宽上处于劣势，而这样的情况在目前800FSB的P4 CPU平台上会比较普遍，因此Intel在桌面芯片组上选择了DDR2-533的设定将内存异步于CPU以改善性能。当DDR2被应用在DDR无法达到的高频率并和未来高FSB CPU配合使用时，这种相对的劣势才能得以消除，所以未来正式主流的DDR2内存频率应该是800多者更高。不过往往最初推出的新规格内存，并不代表内存的真实性能，往往改进过后的产品，才能充分发挥产品的性能。现在的DDR2 533好比是当年的DDR 266或者是SD-RAM时代的PC100，未来DDR2 800或者更高规格的广泛推出市场的时候，才能真正取代DDR400。不知道是不是由于受到AMD告INTEL垄断的缘故，加上生产工艺的不断提高，生产成本有所降低，促使DRAM生产商拥有降低DDR2颗粒的售价，6月中旬，市面上的DDR2 533内存条已经比几个月前消费者不能接受的天价降低了许多，价格甚至可以和中高档的DDR内存对砍。这消息无疑是对消费者的一个利好消息，现在INTEL采用支持DDR2内存芯片组的主板已卖得很便宜，拼装采用DDR2内存平台的机器并不比一般普通采用DDR内存的机器要贵，DDR2再也不是极少数硬件发烧友。到截稿为止，现时多数品牌的DDR2 512M内存条通常在500左右的价位，三星金条DDR2 400报500元，A-DARA Vitesta DDRII533红色威龙内存条报价为495，宇瞻的DDR2 报580元。而最超值实惠的是南亚elixir DDR2 533 512M报399，突破了400元的心理消费价格，对于其他品牌有一定的价格竞争优势。而且售后服务还不错，提供一年包换三年保修的服务，而同规格的265M只售199元。
二、消费指南Q/A（问与答）

Q1:多少内存才够用？

A1:内存多大才够用，当然韩信点兵,多多益善。是从现在使用环境来看，256M容量肯定不够用，现在WINDOWS XP后台加载的任务加上常用软件后台（如防火墙）等起码占用130M以上，给用户使用的内存已少得可怜，导致会降低系统性能。512M肯定是最基本的要求，可以满足现在的基本需要。不过笔者觉得如果金钱比较宽裕，可以考虑购买1G容量，毕竟，现在的软件对内存容量的要求越来越高，1G容量并不过分。购买两条512M组成双通道平台，价格大约需要800元，并是奢侈的东西。拥有1G物理内存，建议大家关闭WINDOWS的虚拟内存管理，对于系统性能会有很大的提高，毕竟内存比硬盘的读写速度快多了。

Q2:为什么一般的内存卖得那么便宜，为什么一些高档的内存那些要贵很多，他们有什么区别？是否值得购买？

A2:CPU、显示卡有分低中高档次，内存也一样。高档的内存一般是针对追求高性能或者是超频的用户设计，价格也比一般的内存要贵很多，可能购买512M普通内存的价钱才能买到256M的超频内存。超频玩家会使用比标准外频更高的非标准频率，在这时候内存的频率也会同样提高。正所谓好马需要配好鞍，高档内存采用高档的内存颗粒（如著名的三星TCCD）他们的频率、时序和工作参数比一般的内存要高很多，例如在DDR500这样高的频率下也可以运行在2-2-2-8（不明白是什么意思，请看下一段的注解）这么高的时序。高档内存正好满足了可以需要，为系统提供一个稳定的工作环境。这无疑是超频玩家的福音。对于普通用户来说，一般的内存只要可以提供优良的兼容性、稳定的工作环境已足够，每必要浪费过多的金钱。

其实电脑是一个更新、淘汰非常快的产品，对于购买最好还是到电脑城里去咨询，根据个人的需要来进行配置，并不是夏季买什么机型冬季买的机型，没有那一说，等你买了电脑，我来给你介绍一下夏季电脑的保养与维修小常识：

一般来说，计算机在正常工作时发出的声音很小，除了硬盘读写数据发出的声音外，主要是散热风扇发出的声音，其中尤以开关电源风扇发出的声音最大。有的开关电源长期使用后，在工作时会产生一些噪声，主要是由于电源风扇转动不畅造成的。引起电源风扇转动不畅发出噪声的原因很多，主要集中在以下几个方面:

--风扇电机轴承接套产生轴向偏差，造成风扇风叶被卡住或擦边，发出"突突"的声音。

--风扇电机轴承松动，使得叶片在旋转时发出"嗡嗡"的声音。

--风扇电机轴向窜动，由于垫片的磨损，轴向空隙增大，加电后发出"突突"的声音。

--风扇电机轴承中使用了劣质润滑油，在环境温度较低时容易跟进入风扇轴承的灰尘凝结在一起，增加了电机转动的阻力，使电机发出"嗡嗡"的声音。

如果风扇工作不正常，时间长了就有可能烧毁电机，造成整个开关电源的损坏。针对以上电源风扇发出声音的原因，平时需要进行如下维护保养工作。

电源盒是最容易集结灰尘的地方，如果电源风扇发出的声音较大，一般每隔半年把风扇拆下来，清洗一下积尘和加点润滑油，进行简单维护。由于电源风扇是封在电源盒内，拆卸不太方便，所以一定要注意操作方法。

(1)拆风扇

先断开主机电源，拔下电源背后的输入、输出线插头。然后再拔下与电源连接的所有配件的插头和连线，卸下电源盒的固定螺丝，取出电源盒。观察电源盒外观结构，合理准确地卸下螺丝，取下外罩。取外罩时要把电线同时从缺口处撬出来。卸下固定风扇的四个螺丝，取出风扇，可以暂不焊下两根电源线。

(2)清洗积尘

用纸板隔离好电源电路板与风扇后，可用小毛刷或湿布擦拭积尘，擦拭干净即可。也可以使用皮老虎吹风扇风叶和轴承中的积尘。

(3)加润滑油

撕开不干胶标签，用尖嘴钳挑出橡胶密封片。找到电机轴承，一边加润滑油，一边用手拨动风扇时，使润滑油沿着轴承均匀流入，一般加几滴即可。要注意滚珠轴承的风扇是否有两个轴承，别忽略了给进风面的轴承上油，上油不要只上在主轴上。

润滑油一定要使用计算机专用润滑油或高级轻质缝纫机油，千万不可用一般汽车上使用的润滑油。最后装上橡胶密封片，贴上标签。

(4)加垫片

如果风扇发出的是较大的"突突"噪声，一般光清洗积尘和加润滑油是不能解决问题的，这时拆开风扇后会发现扇叶在轴向滑动距离较大。取出橡胶密封片后，用尖嘴钳分开轴上的卡环，下面是垫片，此时可取出风扇转子(与扇叶连成一行)，以原垫片为标准，用厚度适中的薄塑料片制成一个垫片。把制作好的垫片放入原有的垫片之间，注意垫片不要太厚，轴向要保持一定的距离。用手拨动叶片，风扇转动顺畅就可以了。最后装上卡环、橡胶密封片，贴上标签。记住主轴上的垫片、橡胶密封片、弹簧等小零件，以免散落后不知如何复位。

总之，电源是计算机工作的动力，如果电源风扇出了故障，引发的后果是严重的，因此要定期地对电源进行维护和保养。

另据数据表明，由电源造成的故障约占计算机整机各类部件总故障数的20%~30%。而对主机各个部分的故障检测和维修，也必须建立在电源供应正常的基础上。下面我们对电源的常见故障做一些讨论。

微机电源一般容易出的故障有以下几种:保险丝熔断、电源无输中或输出电压不稳定、电源有输出但开机无显示、电源负载能力差。下面分别介绍其检修方法:

1.保险丝熔断故障分析与排除

出现此类故障时，先打开电源外壳，检查电源上的保险丝是否熔断，据此可以初步确定逆变电路是否发生了故障。若是，则不外如下三种情况造成:输入回路中某个桥式整流二极管被击穿;高压滤波电解电容C5、C6被击穿·逆变功率开关管Ql、Q2损坏。

其主要原因是因为直流滤波及变换振荡电路长时间工作在高压(十300V)、大电流状态，特别是由于交流电压变化较大、输出负载较重时，易出现保险丝熔断的故障。直流滤波电路由四只整流二极管、两只100kΩ左右限流电阻和两只330uF左右的电解电容组成;变换振荡电路则主要由装在同一散热片上的两只型号相同的大功率开关管组成。

交流保险丝熔断后，关机拔掉电源插头，首先仔细观察电路板上各高压元件的外表是否有被击穿烧糊或电解液溢出的痕迹。若无异常，用万用表测量输入端的值:若小于2OOkΩ，说明后端有局部短路现象，再分别测量两个大功率开关管e、c极间的阻值;若小于100kΩ，则说明开关管已损坏，测量四只整流二极管正、反向电阻和两个限流电阻的阻值，用万用表测量其充放电情况以判定是否正常。另外在更换开关管时，如果无法找到同型号产品而选择代用品时，应注意集电极-发射极反向击穿电压Vceo、集电极最大允许耗散功率Pcm、集电极-基极反向击穿电压Vcbo的参数应大于或等于原晶体管的参数。再一个要注意的是:切不可在查出某元件损坏时，更换后便直接开机，这样很可能由于其它高压元件仍有故障，又将更换的元件损坏。一定要对上述电路的所有高压元件进行全面检查测量后，才能彻底排除保险丝熔断故障。

2.无直流电压输出或电压输出不稳定

若保险丝完好，在有负载情况下，各级直流电压无输出，其可能原因有:电源中出现开路、短路现象;过压、过流保护电路出现故障;振荡电路没有工作;电源负载过重;高频整流滤电路中整流二极管被击穿;滤波电容漏电等。

处理方法为;用万用表测量系统板十5V电源的对地电阻，若大于0.8Ω，则说明系统板无短路现象。将微机配置改为最小化，即机器中只留主板、电源、蜂鸣器，测量各输出端的直流电压，若仍无输出，说明故障出在微机电源的控制电路中。控制电路主要由集成开关电源控制器(TL-496、GS3424等)和过压保护电路组成，控制电路工作是否正常直接关系到直流电压有无输出。过压保护电路主要由小功率三极管或可控硅及相关元件组成，可用万用表测量该三极管是否被击穿(若是可控硅则需焊下测量)，相关电阻及电容是否损坏。

3.电源有输出，但开机无显示

出现此故障的可能原因是"POWER GOOD"输入的Reset信号延迟时间不够，或"POWER GOOD"无输出。

开机后，用电压表测量"POWER GOOD"的输出端(接主机电源插头的1脚)，如果无+5V输出，再检查延时元器件;若有+5V输出，则更换延时电路的延时电容即可。

4.电源负载能力差

电源在只向主板、软驱供电时能正常工作，当接上硬盘、光驱或插上内存条后，屏幕变自而不能正常工作。其可能原因有:晶体管工作点未选择好，高压滤波电容漏电或损坏，稳压二极管发热漏电，整流二极管损坏等。

调换振荡回路中各晶体管，使其增益提高，或调大晶体管的工作点。用万用表检测出有问题的部件后，更换可控硅、稳压二极管、高压滤波电容或整流二极管即可。 参考技术A 工作电压分别是 2.5V ，1.8V， 1.5V ，为什么会有这种变化，只要是因为技术水平的提高，为了更好的降低功耗！ 参考技术B ddr是2.5v ddr2是1.8v ddr3是1.5v左右。
各代内存工作电压不同主要是因为制程工艺的升级，不同工艺的芯片需要的电压也不同，制成越先进，需要的电压越低。列如ddr3内存芯片制成一般是40nm，而ddr2大多是60nm左右。ddr3比ddr2需要的电压少大约0.3v。因为相同数量的晶体管，制成小的，线路载体小，发热小，电流损耗小，所需电压小。所以内存芯片电压不同。cpu和显卡等同理。
(原创非复制= =） 参考技术C 标称电压
ddr 2.4v -2.5
二代 1.8v-1.9
三代 1.4v-1.5
因为内存容量越大，里面的集成的晶体管就越多，必然要 密集度变大，单位晶体管就小了，抗电压能力也就小了，另外从功耗方面也是一样（容量大-晶体管多-功耗大），电压低可以减少功耗，另外技术的提高，可以在低电压保证信号质量，
我认为（坏了别找我） 为了超频或增加稳定性，内存 一般 比标称电压高 0.2是绝对安全的，在高就要看内存颗粒，耐压有的高些有的低些。 一般颗粒大的耐压普遍好些。

ddr3 工作原理

参考技术A 嗯，它的工作原理是使用相应的编程，然后完成一些大量的计算工作 参考技术B DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3UBDIMM2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。1、逻辑Bank数量DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发长度（BL，BurstLength）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。3、寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。4、新增功能——重置（Reset）重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。5、新增功能——ZQ校准ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-DieCalibrationEngine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。6、参考电压分成两个对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature）为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，AutomaticSelf-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-RefreshTemperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。8、局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（MobileDRAM）的设计很相似。9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。10.省电：DDR3Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-RefreshTemperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，PartialArraySelf-Refresh功能），达到省电目的。除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了