数模电内容猜想
Posted 曙光晨
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篇首语：本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理，主要介绍了数模电内容猜想相关的知识，希望对你有一定的参考价值。
数模电部分
初衷
由于今年专业课的题型有了较大的改动，在前面有50分的三科的综合题目。笔者看到我的今年考研的朋友们辛苦不已，甚至有人全套资料购买，下了血本。之前聊天的时候，有朋友找笔者问一些题目并且猜测今年会考什么的题目，故笔者写下本篇，简单的谈谈笔者自己的一些看法并结合之前专业课考试中试卷的题目猜测一波可能会考的内容和题型。
免责声明
考虑到这里面的资料都是之前老师们的PPT并且笔者也知道有商家在对这些资料进行贩卖，故在这里发表免责声明：
以下都是笔者根据之前的考试和对今年考研题目内容的猜测，不构成任何权威性和指导意见、不收取任何费用（要是觉得还行可以点个赞表示一下鼓励），仅仅是笔者个人的一些看法并且笔者自身学识和能力有限不保证本篇中所有内容的绝对正确，笔者在编写时已查阅了许多资料但是仍可能存在漏斗。
根据笔者自身的考试经验，参考书目上的一些内容和卷子中的题目、答案有一定的错误概率，请读者以批判的眼光阅读。
如果能对读者有一定的帮助，笔者表示很开心；如果读者觉得本篇狗屁不通、“满纸荒唐言”、错误满篇、“纯属浪费时间”，“打着考研辅导的名号招摇过市”，笔者在此表示歉意。
同时由于笔者对于教培是非专业的、也不知道今年的难度会如何，本篇的涵盖面可能会很广，可能读者会惊呼：这也会考？这里笔者为了全面和以防万一，列的比较详尽，如果读者时间紧张也可自行跳过。
数电
RAM ROM问题
RAM掉电丢失数据
ROM掉电不会丢数据
存储容量=字数*位数（地址线、数据线）
进制之间的转换
（这个嘛，读者自行练习一下吧）
逻辑表达式化简
区分各种逻辑门
还有个OC、OD、TS门（我感觉应该不会考吧）
AD问题
A/D转换的4个过程：采样、保持、量化及编码，转换器主要指标：分辨率和转换精度
题目
模电：
扩散和漂移问题
扩散是浓度差产生的，漂移是外加电压产生的
晶体管种类：
PNP,NPN，区分所给三极管的类型，三极管对应部分名称（基，发射，集电）
场效应管的分类：
结型、增强型MOS管、耗尽型MOS管；P沟道，N沟道，效应管对应部分名称（栅、漏、源）
其他的知识点
增益带宽积是中频电压放大倍数和通频带的乘积。
反馈：交、直流，正、负
（选用合适的滤波电路对特定目标进行滤除）滤波电路：高、低、带通、带阻
二极管的单向导通性：二极管加正向电压时，其正向是由多数载流子扩散形成
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压其反向电流基本不变
稳压二极管是利用PN结的反向击穿性
题目
当晶体管工作在放大区时（发射结正偏，集电结反偏）
在非线性失真中，饱和失真也称为（底部失真）
用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是（NPN ）型三极管，U1=2.8V的那个极是（ 发射极），U2=2.1V的那个极是（ 基极），U3=7V的那个极是（ 集电极）
简单的差分放大器双端输出时，对（ 共模 ）信号有较强的抑制能力，而对（差模）信号有较强的放大作用。
为减小零点漂移，使用差分放大电路
三极管–双极型晶体管，场效应管–单极性晶体管
N型半导体是在纯净半导体中掺入（五价元素，如磷等）；P型半导体是在纯净半导体中掺入（三价元素，如硼等），N型半导体中多数为空穴，P型半导体中多数为电子。
希望抑制50Hz交流电源的干扰，应选用 带阻 滤波电路；欲从输入信号中取出低于10 kHz的信号，则应采用 低通 滤波电路；处理具有100 Hz固有频率的信号则应采用 带通 滤波电路。（高通、低通、带通、带阻、全通）
施密特触发器有2个稳定状态，单稳态触发器有1 个稳定状态， 多谐振荡器有0个稳定状态。
致谢
感谢老师们的PPT以及老师们辛苦编写的试卷，以及各位同学对笔者的大力帮助。
以上是关于数模电内容猜想的主要内容，如果未能解决你的问题，请参考以下文章