Gm/Id仿真仿真

Posted 2022-02-06 硬件老钢丝

为了验证我们上面的理论，我们利用cadence软件进行仿真，这里采用版本比较低，但是依旧可以说明问题。

一、搭建原理图

以NMOS为例，将漏压Vdc设置为VDD/2=0.6V，NMOS管的栅极电压设置为变量VGS，MOS管的长度设置为变量L。

然后进行环境设置：
对我们的变量进行赋值，并且添加直流扫描。

设置好直流仿真以后，运行网表和仿真。

然后看一下我们管子的直流工作点
简单看一下我们现在仿真所得到的的参数

值得注意的是，我们仿真运行完保存的只是我们设定的变量值，并没有把所有的扫描值都给保存下来，所以需要进一步的处理。
首先先看一下结果：

所以需要去修改，建一个asve.scs文本，然后 save +器件名字：all 即可


OK以后重新进行仿真网表，再次打开结果，这次的结果保存在DC-DC dcop指的是静态工作点，而dc-dc指的是我们扫描过程中所有的结果

下面就开始对我们所需要的进行计算

首先先用计算器将gmoverid的结果导入公式（选dcdc里面的）
然后计算fT，公式 ft=gm/(cgg*2pi)
本征增益 gmro
电流密度：ID/w
输出公式都编辑好以后，我们画图，我们先gmid和ft的图

下面是增益曲线图。

下面是电流密度图：

为了得到我们需要的不同L下的曲线图，我们必须进行参数扫描，但是草书扫描以后就不能修改横坐标了，所以还要进行osoen脚本的编写：

然后保存成脚本



插入我们所需要的新窗口和横纵坐标。


编好之后回车，就会出来我们的图

从图中我们可以得到，栅长越长，截止频率越低，本征增益越大，电流效率越小。和我们的理论是完全吻合的。