低功耗SRAM存储器EMI501NL16LM-55I完美替换IS63WV1288DBLL-10JLI

Posted 2021-09-13 英尚微电子

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一种非常高速且低功耗的128X8位CMOS静态SRAM。该产品使用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可产生更高性能和更低功耗的设备。当CE为高电平（取消选择）时，器件采用待机模式，在这种模式下，利用CMOS输入电平，功耗可降至25 µW（典型值）。IS63WV1288DBLL由单个Vdd电源供电。下面介绍一款可用于替换此款型号的国产EMI SRAM EMI501NL16LM-55I。

EMI501NL16LM-55I是由EMI制造的先进的完整CMOS工艺技术所制造出来的。支持低数据用于电池备用操作的保持电压低数据保持电流。该型号同时也支持工业温度范围和芯片级封装，可为用户提供系统灵活性设计。EMI代理支持提供样品支持及技术解决方案。

特征
●工艺技术：全CMOS
●位宽：64Kx 16位
●电源电压：2.7V〜3.6V
●低数据保持电压：1.5V（最小值）
●三态输出和TTL兼容
●标准封装44TSOP2,48BGA
●工业操作温度

关于EMI
EMI公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专注于利基市场（Niche market）专用芯片/小型SOC芯片及整体解决方案，主要产品涉及千兆/万兆USB网口芯片和SRAM存储芯片以及音视频接口芯片。提供创新、高品质、高性价比、供货持续稳定的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，降低客户研发难度，缩短客户量产时程。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展现、特种通信和智能建筑等。