内存ddr3上的bank0,bank1,bank2表示啥意思?坐等!!!
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篇首语:本文由小常识网(cha138.com)小编为大家整理,主要介绍了内存ddr3上的bank0,bank1,bank2表示啥意思?坐等!!!相关的知识,希望对你有一定的参考价值。
开机后的第二个画面可查看到内存的Bank信息,为双Bank的SDRAM内存用最小化系统启动计算机,即只采用主板、CPU、内存和显卡。在开机后的第二个画面按键盘上的"Pause" 键暂停,如果内存是SDRAM,则会看到:
sdram at bank:0此为单bank;
sdram at bank:0,1此为双bank;
如内存是DDR SDRAM,则会看到:
ddr sdram at bank:0此为单bank;
ddr sdram at bank:0,1此为双bank。
扩展资料:
目前市场上的主流主板大都支持4或者6个Bank,对于Intel 82845这种支持4个Bank的芯片组来说,在选购内存时就要多加一分留意。因为现在很多内存都是双Bank的,这意味着在Intel 82845芯片组上最多只能使用两条这样的内存,多了芯片组将无法识别。
最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购内存,如果主板只提供了两个内存插槽,那就不必为内存是单Bank还是双Bank而担心了。而如果主板提供了4个内存插槽(同一种规格),那么应该尽量购买单Bank或大容量双Bank的内存,以免给日后升级留下不必要的麻烦。
参考技术A内存的BANK包括两部分:逻辑BANK和物理BANK。
逻辑BANK是指:
(1) 每个逻辑BANK有8M个单元格(CELL),一些厂商(比如现代/三星)就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度(Data Depth),每个单元由8bit组成,那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit(8M×8bit),4个逻辑BANK就是256Mbit,因此这颗芯片的总容量就是256Mbit(32MB)。
(2) 内存芯片的容量是一般以bit为单位的。比如说32Mbit的芯片,就是说它的容量是32Mb(b=bit=位),注意位(bit)与字节(Byte)区别,这个芯片换算成字节就是4MB(B=Byte=字节=8个bit),一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的,我们可以芯片上的标识知道,这个芯片有几个逻辑BANK,每个逻辑bank的位宽是多少,每个逻辑BANK内有多少单元格(CELL)
物理BANK:
(1)通常主板上的每个内存插槽分为两段,这个大家从VIA主板Bios设置中的BANK 0/1 DRAM Timing选项很容易推理得到,实际上也就是两个BANK,不过这里的BANK概念与我们前面分析芯片内部结构时提到的BANK可不一样。
(2)简单地说这个BANK就是内存和主板上的北桥芯片之间用来交换数据的通道,目前以SDRAM系统为例,CPU与内存之间(就是CPU到DIMM槽)的接口位宽是64bit,也就意味着CPU一次会向内存发送或从内存读取64bit的数据,那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条BANK。
先来讲讲逻辑BANK。芯片的内部,内存的数据是以位(bit)为单位写入一张大的矩阵中,每个单元格我们称为CELL,只要指定一个行(Row),再指定一个列(Column),就可以准确地定位到某个CELL,这就是内存芯片寻址的基本原理。这样的一个阵列我们就叫它内存的逻辑BANK(Logical BANK)。
再来说说物理BANK。通常主板上的每个内存插槽分为两段,这个大家从VIA主板BIOS设置中的BANK 0/1 DRAM Timing选项很容易推理得到,实际上也就是两个BANK,不过这里的BANK概念与我们前面分析芯片内部结构时提到的BANK可不一样。
简单地说这个BANK就是内存和主板上的北桥芯片之间用来交换数据的通道,目前以SDRAM系统为例,CPU与内存之间(就是CPU到DIMM槽)的接口位宽是64bit,也就意味着CPU一次会向内存发送或从内存读取64bit的数据,那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条BANK,很多厂家的产品说明里称之为物理BANK(Physical BANK)。
目前绝大多数的芯片组都只能支持一根内存包含两个物理BANK,但是针对某个具体的条子,很多人想当然,认为每个DIMM插槽使用内存条的面数来区分占用几个BANK通道,单面的(16M,64M)只占用一个物理BANK,而双面的(32M,128M)则需占用两个物理BANK。实际上物理BANK与面数是无关的,PCB电路可以设计成双面和单面,也可把全部芯片(16颗)放在一面上(至少从理论上是完全可能)。
有些内存条单面就是一个物理BANK,但有些双面才是一个物理BANK,所以不能一概而论。256MB内存条就是一个典型的例子,虽然是双面并多达16枚芯片,但仍然是单个物理BANK的。要准确知道内存条实际物理BANK数量,我们只要将单个芯片的逻辑BANK数量和位宽以及内存条上芯片个数搞清楚。各个芯片位宽之和为64就是单物理BANK,如果是128就是双物理BANK。
CPU工作时与BANK的关系本回答被提问者采纳 参考技术C 好高级、也在查这问题
Memory中的Channel/Rank/Bank解析
Memory中的Channel/Rank/Bank解析
最近在看网卡底层驱动的一些资料,被内存bank
,rank
,channel
这些关于memory
的名词搞得绕来绕去,网上查了一些资料,说得也不全面。在这里让我们一步一步来拆解memory
的神秘面纱,从架构到读写逐步解开这块秘密。
发挥性memory
分两种,SRAM
与DRAM
RAM(Random Access Memory)
随机存取内存,之所以叫做“随机存取”,是因为相对于早期现行存储媒介(磁带?很久以前的)而言,因为磁带的存取是线性的(还记得快进/倒带 那个滋溜爽),存取时间由目前磁带位置和目的位置的距离而定(类似数据结构中的线性表)。需要转动刺头到应有的位置,因此距离越长,转的就越久了,读写时间也越久。而伟大的RAM
没有这种限制,存取时间为固定值(类似数组这种下表式访问,下标就是地址),不会因为存储资料在memory
中的位置而影响读取时间。
RAM
大致可以分为两种:SRAM
与DRAM
,这两者基本原理上有相同的地方,都是将电荷存储到记忆体内部,由此针对不同的电荷存储0 or 1. SRAM(Static Random Access Memory)
静态随机存储memory和DRAM(Dynamic Random Access Memory)
有几点不同:SRAM
的结构比较复杂,单位面积的容量少,存取速度很快;DRAM
则结构简单,单位面积存储的容量比较多,存取时间相对SRAM
慢,同时DRAM
因为构造比较简单,存储的电荷惠随着时间逐渐消失,因此需要定时再充电(Refresh
),以保持电容存储的资料。
由图中的SRAM
和DRAM
构造可以知道,SRAM
采用正反三极管+电容(flip-flop
)构造存储器,DRAM
则是采用电容式存储(md,这两图看着好熟悉,就是看不懂早忘了,欲哭无泪)。因为SRAM
和DRAM
的种种特性上的不同,SRAM
比较适合作为暂存器,配合CPU快速存取使用。DRAM
则适合作为主要的memory记忆体而使用。
挥发性记忆体与非挥发性记忆体
挥发性记忆体(Volatile Memory
)和非挥发性记忆体(Non-Volatile Memory
)之间的差异在于,断电之后是否还可以保存内部存储的资料。挥发性记忆体的资料将会随着失去电力的供应而消失,而非挥发性记忆体依然可以保存有内部的资料。
内存子系统
DRAM
由于构造简单,高密度,作为电脑内部的主要记忆体非常适合。但由于主存通常放在CPU
之外,从工厂出来的颗粒需要封装和组合之后才可以和CPU
相连,因此从CPU
到DRAM
颗粒之间依次按层级由大到小分为channel > DIMM > rank > chip > bank > row/column
。(和lz之前想的差不多,就跟先到哪条街道,哪个小区单元,哪个栋楼,几层几单元的地址格局一样)。下面,让我们来一一说明这些部分:
内存的结构(从上往下,由大到小)
内存从channel到chip的对应关系。这里特别要注意,rank和内存条的面没有必然关系,虽然图中这么画了,但是不要误导大家,就是示意一下,下面会有详细介绍。
chip 再往下拆分为 bank
bank 再往下拆分就是一个个的存储单位,横排为row
,纵列为column
,每排column
的下方都有一个row buffer
,用来暂存刚刚读取出来的某个row
排的资料。(是不是很简单,是不是很像你家小区的格局?Yeah!so easy ~)
单个DRAM颗粒内部的功能区块图(图片来自Micron)
channel
和 DIMM
从内存控制器出来之后,最先到达的是channel
,每个channel
都需要配有一组内存控制器,2个channel
两个……以此类推。而每个channel
中能够有很多组DIMM(Dual In-line Memory Module)
,DIMM
就是目前能够在消费市场上买到的大家平时能看到的内存模组。因为n多年前的主板必须购买内存颗粒(chip)自己插在主板上(想想知道为啥那时候大师都厉害了吧,这组成原理在实践中就得到了锻炼),然后发展出SIMM (Single In-line Memory Module)
,将多组内存颗粒(chip
)焊在一块电路板上,成为内存模组,再将次电路板插在主板上。接着为了增加吞吐量,将一条内存模组的位宽从SIMM
的32bit升级到DIMM
的64bit,这个设计沿用至今。
从内存颗粒过度到SIMM
的时代,坊间曾出现替使用者将内存颗粒焊接到SIMM
电路板上的私活,因为当时的内存条非常贵,所以稍微花点小钱就可以把内存颗粒换到新的电脑上。
rank
和chip
rank
指的是连接到同一个cs(Chip Select,片选)
的所有内存颗粒chips,内存控制器能够对同一个rank
的所有chips同时进行读写操作,而在同一个rank
的chip
也分享同样的控制信号。以目前的电脑来说,因为一组channel的位宽是64bit,所以能够同时读写8byte的资料,如果是具有ECC
功能的内存控制器和ECC
内存模组,那么一组channel的位宽就是72bit。
rank1和rank2共享同一组addr/command
信号线,利用cs片选线选择欲读取或是写入的那一组,之后将存储内容经由MUX
多路器送出。
很多人有错误的理解,常以chip
的数量或是以内存模组的单/双面对rank
进行判断,但实际上应该以内存控制器和内存颗粒的规格进行判断。目前家用PC的内存控制器通道绝大部分是64bit宽,内存颗粒的位宽是8bit。因此8颗颗粒就可以满足内存控制器的需求,也就是一组rank
。但偶尔也有以16bit位宽的内存颗粒制成的内存模组,此时4个颗粒chip就是一组rank
。
这在采用Intel H61/H81 芯片组 和 传统单channel的主板时需要特别注意,因为Intel限制H64/H81每个channel仅能支持2组rank
,而不是4组rank
,部分主板每个channel又做了2组内存模组插槽,造成部分使用者同组channel放入2条内存模组(内存条)时能够识别全部的内存容量(对于双面单rank
的内存模组是这样),然而部分使用者则仅能识别一半的容量(双面双rank
的内存模组)。
bank
,row
,column
bank
再往下分就是实际存储单位元的电路,一般来说横向选择排数的线路称为row(row enable, row select, word line)
,纵向负责传送信号的线路称为column(bitline)
,每组bank
的下方还会有个row buffer(sense amplifer)
,负责将读出的row
内容暂存,等待column
位址送到后输出正确的位元,以及判断存储的内容是0还是1.
一个bank的读取操作。
一个bank的写入操作。
内存的读写方式
上图标明了内存的读写方式,读取时首先内存控制器将1组位址现传到内存上,控制器跟着传送控制信号;如果是多rank
的情况,CS
也会送到对应信号选择的目标rank
上。接着由于每个rank
是由多个chip
组成,每个chip
仅负责部分的资料读取,chip
接收到位址信号后,将位址放入内部的row/column
解码器找出对应的bank
位址(每家厂商每款产品内部的bank
组合可能不同,因此相应地也会略有不同),接着开启row
线,同一排row
的内部内容就会流到row buffer
内部,row buffer
判断信号为0或是1之后就输出存储内容。
写入时除了位址资料以外,还会传送欲写入的内容至芯片内部的input buffer
,同样的也是按照row/column
解码器找出对应位址之后写入。
内存控制器和DIMM之间的线路关系
越多越好,加速读写能力
家用电脑的内存控制器已经进入双通道内存控制器多年,加速原理为增加位宽,达到同时读写更多资料的能力。
另一种增加频宽的方法就是减少延迟,利用多个chip
或是bank
达成。一般的内存读取延迟为 命令下达 + 内存读取延迟 + 输出内容,如果命令下达延迟为2ns,内存读取延迟为10ns,输出内容延迟为2ns,那么读取两笔资料的延迟就是 (2+10+2) × 2 = 28ns。
如果能够将资料拆分到2颗内存颗粒上,那么这两笔读取延迟将降低至2+2+10+2=16ns,因为不需要等到前面一笔资料的读取完成才发出下一笔的读取命令,在第一笔资料进入内存读取时就可发出。这种概念也可应用到目前的SSD上,较多的ce
分装的快速记忆芯片,通常都比较少ce
封装的芯片来得快。
由时序图可以知道,下凡此种尽量拆分内存空间的作法,可以大幅减少延迟。
以上是关于内存ddr3上的bank0,bank1,bank2表示啥意思?坐等!!!的主要内容,如果未能解决你的问题,请参考以下文章