在开关电源中MOS管源极对地的那个电阻怎么算啊 ？ 谢谢各位！

Posted 2023-04-13

应该是电流模式的内环电流取样电阻，这个跟你的最大功率有关的。用功率和效率算出初级电流的峰值，然后以峰值电流乘以这个电阻得到电压（一般用一个小的RC来消电压尖峰），这个电压有一些芯片是1V，也就是说你的峰值电流乘以这个电阻为1（适芯片而定）。
希望能帮到你。追问

是根据MOS管的电流峰值来算出那个电阻值吗？

追答

是的。

参考技术A 用芯片的保护电压除以变压器初级主绕组的平均电流。 参考技术B 你是什么电源？flyback？源极对地电阻是用来做什么的？我了解的一般有进行电流采样的。假如有电流环的话，应该有参考值。你可以参考开关电源的Datasheet中的说明来计算电阻。追问

源极调电流的那个电阻？

追答

你能把你的原理图贴上来吗？否则没法给你分析。不同拓扑和目的，电阻值的计算会很不一样。

追问

就是R3那个电阻怎么算？   谢谢！

追答

R3电阻主要是为了实现限流保护，Datasheet中应该有限流阈值，假如限流阈值为Vocp，则限流值就是Vocp/R3。至于限流到多少合适，还要看你系统正常工作时开关管的最大电流值（峰值电流）。一般限流值设定在峰值电流的130%左右。
另外此采样电阻有用来实现原边电流采样，实现电流环的控制，此时这个阻值的选择联系到环路的稳定性，以及芯片内部的斜率补偿等。采样电阻大了会超过芯片内部的采样范围，假如采样电阻小了，则当轻载的时候，采样电流就很小，抗干扰能力就会很差。这个需要折中考虑。有经验值：一般CS采样增益（A/V）使用1.5倍的额定电流值，即假如额定电流为1A，则采样增益为1.5A/V，采样电阻为此值的倒数。

参考技术C 电流和功率小于电阻的额定值并留有一定余量 参考技术D 电子负载这东西本身就有一定的技术含量,不是那么方便的.
简单的说,MOS管为核心的电子负载就是相当于一个PWM控制的电子开关,通过改变占空比,来改变输出电流的时间长短（也就是单位时间中,MOS管导通的比例）,以此改变平均电流大小,然后根据中学里的电阻发热公式改变热量大小.

MOS管与推挽输出开漏输出

MOS管看作是电平控制的开关，类似三极管，可以通过控制栅极的电平高低控制漏极和源极的导通

N沟道MOS管：栅极高电平时，漏极和源极导通，低电平时，，漏极和源极不导通。

P沟道MOS管：栅极低 电平时，漏极和源极导通，高电平时，，漏极和源极不导通。

CMOS管就是NMOS和PMOS的结合，通过控制（输入级）栅极的电平来控制输出级的电平
左图，输入级为低电平时，上面的P沟道MOS管导通，下面的的N沟道MOS管截至，输出高电平。
右图，输入级为高电平时，上面的P沟道MOS管截止，下面的的N沟道MOS管导通，输出高电平。
上面两个是输入和输出的电平相反，要想相同，则需要加个反相器

推完输出，可以输出高电平和低电平，驱动能力强

开漏输出，只能输出低电平，不能输出高电平，而为高阻态

应用：